NOR Flash和NAND Flash
NOR Flash与NAND Flash是目前市场上主要的两种非易失闪存技术（Non-Volatile Flash Memory）。
NOR和NAND的名称由来
细心的朋友会问，为什么叫NOR和NAND？NOR和NAND其实取用了电路逻辑运算中的或非（Not OR）和与非（Not AND）。
NOR的读速度比NAND稍快一些
NOR的写速度比NAND慢很多
NOR可以直接使用，而NAND需要I/O接口
NOR Flash寿命比NAND短很多
NOR Flash寿命比NAND短很多
关于闪存Flash
闪存（Flash）技术是日本人富士雄Fujio Masuoka在1980年左右为东芝工作时发明，英特尔公司于1988年推出第一款商用型NOR闪存芯片。Flash也被认为是一种EEPROM（电可擦除可编程只读存储器），区别在于传统的EEPROM以字节为单位进行擦写，而Flash则实现了以块为单位进行擦写。
NOR Flash与NAND Flash是目前市场上主要的两种非易失闪存技术（Non-Volatile Flash Memory），NOR Flash数据线和地址线分开，可以实现ram一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。 NAND Flash同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。（NAND Flash按块来擦除，按页来读，NOR Flash没有页） 由于NAND Flash引脚上复用，因此读取速度比NOR Flash慢一点，但是擦除和写入速度比NOR Flash快很多。NAND Flash内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低。因此大容量的Flash都是NAND型的。小容量的2～12M的Flash多是NOR型的。 使用寿命上，NAND Flash的擦除次数是NOR的数倍。而且NAND Flash可以标记坏块，从而使软件跳过坏块。NOR Flash 一旦损坏便无法再用。 因为NOR Flash可以进行字节寻址，所以程序可以在NOR Flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的NOR Flash存储引导代码，用一个大容量的NAND Flash存放文件系统和内核。
1、性能比较:
任何Flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为 0。 这就造成了NOR的写速度比较慢。
比如，NOR Flash在64KB块进行写/擦除操作时，大概需要700ms的时间，而Nand Flash对32KB块进行操作，仅仅需要4ms。
但是NOR的读速度比NAND稍快一些，NOR FLASH的读写是以字或字节为单位进行直接读取的，而NAND则要先发送地址信息进行寻址，然后才能开始读写数据。
2、接口差别:
NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。 NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。 NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
3、容量和成本:
NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。 NOR Flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND Flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、 Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。
4、可靠性和耐用性:
采用Flash介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
A) 寿命(耐用性)
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
B) 位交换
所有Flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特(bit)位会发生反转或被报告反转了。 一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。 当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。 这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
C) 坏块处理
NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成功率太低，代价太高，根本不划算。 NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。
5、易用性:
基于NOR的闪存，可以非常直接地使用，不需要I/O接口，可以在NOR Flash上面直接运行代码。 由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。 在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
6、软件支持:
当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。 在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。 使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River system、Microsoft、QNX Software system、Symbian和Intel等厂商所采用。 驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。 NOR Flash的主要供应商是INTEL ,MICRO等厂商，曾经是Flash的主流产品，但现在被NAND Flash挤的比较难受。它的优点是可以直接从Flash中运行程序，但是工艺复杂，价格比较贵。 NAND Flash的主要供应商是SAMSUNG和东芝，在U盘、各种存储卡、MP3播放器里面的都是这种Flash，由于工艺上的不同，它比NOR Flash拥有更大存储容量，而且便宜。但也有缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外NAND Flash 非常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。 在掌上电脑里要使用NAND Flash 存储数据和程序，但是必须有NOR Flash来启动。除了SAMSUNG处理器，其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND Flash 启动程序。因此，必须先用一片小的NOR Flash 启动机器，在把OS等软件从NAND Flash 载入SDRAM中运行才行，相对复杂一些。
闪存发明者富士雄Fujio Masuoka
日本人富士雄Fujio Masuoka在1980年左右为东芝工作时发明了闪存，之所以叫Flash，是因为他的同事认为像是照相机拍照时的闪光。但当时这项技术在东芝内部未受重视，最终闪存技术得到Intel公司重视并发展起来。