在众多的存储器分类中，DRAM，SRAM和Flash是当今主要的固态存储技术，已经存在了很长时间，其中Flash最年轻的技术，也是当前最热门的存储技术。
下面是DRAM、SRAM和Flash闪存的电路结构对比图：
工作原理：
DRAM仅使用一个晶体管和一个电容器组件构建，而SRAM通常采用CMOS技术构建，具有六个晶体管。两个交叉耦合的反相器用于存储信息，就像在触发器中一样。为了进行访问控制，需要另外两个晶体管。如果启用了写线，则可以读取数据并使用位线进行设置。闪存电路与FG组件配合使用。FG位于栅极和源极-漏极区域之间，并被氧化层隔离。如果FG不充电，则栅极可以控制源极-漏极电流。当在栅极上提供高电压时，FG充满电子（隧道效应），FG上的负电势对栅极起作用，并且没有电流。可以用高电压沿栅极的反方向擦除FG。与SRAM和Flash相比，DRAM具有一个优点，即只需要一个带有电容器的MOSFET。与SRAM相比，它还具有生产便宜，功耗低的优点，但比SRAM慢。另一方面，SRAM通常以CMOS技术内置，具有六个晶体管和两个交叉耦合的反相器，并且对于访问控制，还需要另外两个晶体管。SRAM具有快速，易于控制，集成在芯片中以及快速的优势，因为不需要像DRAM中的总线。但是SRAM具有需要许多晶体管的缺点，因此比DRAM具有昂贵，更高的功耗。与DRAM和SRAM相比，闪存在栅极和源极-漏极区域之间具有FG，并被氧化层隔离。闪存不需要电源来存储信息，但比SRAM和DRAM写入慢。