商品简介
参考价格：￥349.00元
品牌型号：SAMSUNG
商品库存：60
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商品详情
三星（SAMSUNG）850 EVO系列 120G 2.5英寸 SATA-3固态硬盘(MZ-75E120B/CN)
| 主体 | |
|---|---|
| 品牌 | 三星 |
| 系列 | 850 EVO系列 |
| 型号 | MZ-75E120B/CN |
| 类别 | 2.5英寸SSD固态硬盘 |
| 规格 | |
| 接口类型 | 接口 SATA 6Gb/s(与SATA 3Gb/s 和 SATA 1.5Gb/s兼容) |
| 容量 | 120GB |
| 缓存 | 256MB |
| 读写速度 | 连续读取最大540MB/秒，连续写入最大520MB/秒 |
| 主控 | 三星 MGX 控制器 |
| 颗粒 | 三星32 层3D V-NAND |
| 闪存类型 | NAND 闪存 |
| 特性 | |
| 特性 | 最新3D V-NAND 技术，卓越性能，持久耐用，高效安全 |
| 尺寸 | 100x69.85x 6.8(mm) |
| 工作温度 | 0°C to 70°C |
| 保存温度 | -40°C to 85°C |
| TRIM | 支持 |
三星 3D v NAND技术
三星的V-NAND闪存就放弃了传统的浮栅极MOSFET，改用自家的电荷撷取闪存（charge trap flash，简称CTF）设计。每个cell单元看起来更小了，但是里面的电荷是储存在一个绝缘层而非之前的导体上的，理论上是没有消耗的。这种看起来更小的电荷有很多优点，比如更高的可靠性、更小的体积，不过这些还只是其中的一部分。
使用CTF结构的V-NAND闪存被认为是一种非平面设计，绝缘体环绕沟道（channle），控制栅极又环绕着绝缘体层。这种3D结构设计提升了储存电荷的的物理区域，提高了性能和可靠性。
可靠性和性能提升是V-NAND闪存的一个方面，还有就是3D堆叠。由于三星已经可以垂直方向扩展NAND密度，那就没有继续缩小晶体管的压力了，所以三星可以使用相对更旧的工艺来生产V-NAND闪存，现在使用的是30nm级别的，介于30-39nm之间。
使用旧工艺的好处就是P/E擦写次数大幅提升，目前的19/20nm工艺MLC闪存的擦写次数普遍是3000次，三星的V-NAND闪存可达35000次，这也是三星说可靠性提升2-10倍的由来。
使用旧工艺甚至也没妨碍三星提高NAND密度，三星之前公布的V-NAND是128Gb核心的，目前主流19/20nm工艺的核心容量是64Gb，如果用传统工艺制造128Gb核心的NAND，那么工艺需要15nm。
更大容量的NAND有着更少的干扰，编程时间会更短，这意味着性能会提高。此外，更大容量的NAND的读写不需要那么多次的重试，因此总功耗也会更低。