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回望2013技术热点:谈闪存产品和技术升级

2014-01-17 16:50:00 来源:比特网

编译自The Register:SSD在2013年稳定发展,随着SSD的技术走向成熟,NAND密度不断提升,市场上的SSD的价格也在不断的下降,另一方面12Gb/s SAS接口的闪存产品也开始出现。

● sTec在2013年发布了s840,这是一款2TB SAS SSD。

● 美光在过去的一年中表现的不是很好,其P400M 也只是出了一个6Gb/s SAS接口的版本。

● HGST在2013年4月发布了12Gb/s SAS接口的SSD1000MR

  

  HGST SSD1000MR

浦科特之前有表示在CES上发布一款TLC SSD,但是后来将这一时间点推迟到了6月。

SMART在5月发布了一款2TB SSD

希捷在5月发布了三款SSD 其中包括两款6Gb/s SATA以及一款12Gb/s SAS SSD。(本部分只提到了SATA /SAS接口的SSD 产品)。

三星发布了一款1.6TB SSD,

混合产品

使用闪存加上磁盘做成的混合产品成为了市场的宠儿,其中包括使用闪存作为缓存的混合硬盘以及使用闪存作为第一层的混合存储阵列。

例如希捷在2013年三月发布的2TB SSHD有8GB闪存作为Cache,这是希捷第三代混合硬盘产品了,他还研发了笔记本混合硬盘产品Momentus XT。在6月份,希捷发布了一个2.5英寸的企业级混合硬盘,闪存部分容量为16GB,磁盘转速是10000转,这款硬盘已经被用到IBM 的一些服务器当中。

除了希捷,其他硬盘厂商也没闲着,西部数据12月发布了Black2 Dual硬盘,拥有1TB的磁盘和120的闪存。

值得注意的是这些混合硬盘中闪存和磁盘资源是分开的而不是一个单独的资源池。具体将来是不是维持这种做法还有待观察。

服务器闪存DIMM

还有一种比较重要的闪存技术在2013年也得到了很大的发展,SMART宣布他已经能够使用Diablo公司的技术将闪存做到内存DIMM模块中,这样的话服务器的闪存将有比PCIe闪存卡更低的延迟。

这样,服务器内存系统的一部分将被更为便宜的闪存所取代。现在看来,内存是最快的,然后是这种利用内存架构做的闪存,比这种闪存慢些的是PCIe闪存卡,这些之后是闪存阵列以及磁盘阵列等。

这项技术是在2013年4月份被提出来的,之后的7月份闪迪收购了SMART,再之后内存技术厂商Netlist控诉SMART和Diablo的ULLtraDIMM产品盗取了自己的DIMM技术。

PCIe性能的提升

在过去的一年中PCIe闪存卡市场上是非常热闹的,几乎所有主流的厂商都加入了这场游戏。其中有EMC, Fusion-io, IBM-TMS, Intel, Micron, LSI, OCZ, Samsung, Seagate-Virident, sTec, SanDisk以及Violin Memory.其中有些新的亮点列举如下:

● sTec在1月发布了一款2TB的PCIe闪存卡1120

● 四月Fusion-io宣布自己的PCIe闪存卡能够做到960万IOPS(这是个惊人的数字)

● Violin Memory六月份发布了Velocity PCIe闪存卡

● 9月份Virident发布了4.8TB的FlashMAX闪存卡

能够看出都是在自己之前的产品基础之上做的升级,并没有颠覆性的技术创新出现。PCIe闪存卡仍然是一个主流。

缓存软件领域只有Fusion-io和Virident有将PCIe模拟成为内存的软件,但是据我们所知,并没有服务器厂商将这种方案作为一个标准方案来用。