由于用户有大量照片、视频、应用和音频需要存储，智能手机的存储空间总是不够用。考虑到这一问题，英特尔在研究在不影响设备尺寸和价格的情况下，提升移动设备和PC存储容量的新技术。
据PCWorld网站报道，英特尔正在研究的一项技术是，在1个存储单元中存储更多比特的信息，把移动设备和PC的存储容量增加3倍。英特尔正在尝试在一个存储单元中存储4比特信息。
英特尔非挥发存储解决方案部门战略规划和营销副总裁李仁基(Bill Leszinske)在一封电子邮件中说，“这可能促使大量移动和计算设备使用存储密度更高的存储设备。”
用户对存储容量的需求是无止境的。应用和操作系统越来越大，4K视频即将成为主流，传感器和其他数据源生成的数据在不断增多。因此，移动设备和PC厂商在不断试图提高设备中闪存盘和固态硬盘的存储容量。
通过在1个存储单元中存储4比特信息——英特尔称之为QLC的技术，标准2.5英寸固态硬盘的存储容量可以增长至逾10TB。PCWorld表示，英特尔称QLC仍然处于研发阶段，没有披露推出采用QLC技术的闪存芯片的时间表。
与传统硬盘相比，固态硬盘数据传输速度更快，能耗更低，但目前固态硬盘的容量最高约为4TB。闪迪计划销售存储容量为8TB的固态硬盘——与希捷最高容量的硬盘相当。英特尔曾表示，利用上周与美光公布的新型TLC闪存芯片，该公司将能把固态硬盘存储容量提高至10TB。
市场研究公司Objective Analysis分析师吉姆·汉迪(Jim Handy)指出，未来10年，闪存可能被新兴的存储技术所取代，例如MRAM (磁阻内存)、PCM(相变内存)和RRAM(阻变式内存)。
英特尔在一个存储单元中存储4比特信息的能力，依赖于它通过其最新的3D NAND制造技术缩小闪存芯片尺寸的能力。这一技术允许存储单元像摩天大楼那样垂直叠加，提供更高的存储容量。
大多数固态硬盘都采用SLC(每个存储单元存储1比特信息)或MLC(每个存储单元存储2比特信息)闪存芯片。在1个存储单元中存储3比特信息就已经是一个足够大的挑战了，汉迪对在1个存储单元中存储4比特信息持怀疑态度，称这一技术可能会造成固态硬盘出现更多数据读写错误。
每次在一个存储单元中增加1比特信息，干扰就会增加一分，识别存储单元中数据的难度也会提高。
这并非一家公司首次尝试在1个存储单元中存储4比特信息。近10年前，M-Systems曾进行相同的尝试，可惜没有成功。M-Systems于2006年被闪迪收购。
另外，受成本影响，在1个存储单元存储4比特信息的意义并不大。据汉迪估计，在1个存储单元存储2比特信息，可能把闪存芯片成本削减一半;在1个存储单元存储3比特信息，可以把闪存芯片成本削减30%;如果把4比特信息“塞进”1个存储单元，闪存芯片成本降幅会收窄至15%。
但李仁基仍然对英特尔在QLC技术方面的机会持谨慎乐观态度，称英特尔的3D NAND技术能使QLC成为“一个真正的机会”