SanDisk公司已经正式公布了其第三代ioDrive PCIe及夹层闪存卡，同时宣称其在实现四倍于以往的性价比提升之外，还能够较前代Fusion ioDrive 2/Atomic产品实现高达61%的标价削减幅度。
Fusion-io公司及其ioMemory技术方案以及于去年六月被SanDisk方面以11亿美元价码收入囊中。从那时开始，闪存技术已经迎来迅猛发展，如今其芯片拥有更小的物理尺寸及更为密集的存储晶粒，这意味着厂商能够将更多闪存容量塞进同一块PCIe闪存卡当中、并借此实现性能提升以及/或者降低产品售价。
上一代闪存卡为SX300（存储容量区间为1 TB到6.4 TB）与PX600（存储容量区间为1 TB到5.2 TB）PCIe卡——后者此前曾被命名为Fusion-ioioDrive 2卡——二者皆采用20纳米制程技术并配备有来自美光的MLC闪存芯片。
SanDisk公司此次在闪存卡产品中使用了自家打造的闪存芯片——我们估计其属于19纳米MLC技术方案——且并没有在整体存储容量方面带来提升。这一回迎来更新的产品线具体如下：
• SX300与新的SX350系列——存储容量区间为1.2 TB到6.4 TB，主要面向：
o 混合使用型工作负载——包括虚拟化、数据库、商务智能以及实时性金融数据处理等。
o 读取敏感型工作负载——包括Web托管、数据挖掘、地震数据处理、内容缓存处理、3D动画以及CAD/CAM等。
• PX600系列——存储容量区间为1 TB到5.2 TB——合适各类混合使用型工作负载，例如虚拟化、数据库、商务智能以及实时性金融数据处理等。
• Mezzanine闪存卡系列主要面向最新的惠普第八代及第九代BladeSystem服务器以及思科的UCS B系列刀片服务器——用于构建虚拟化环境，其中该闪存卡负责在每台服务器上支持更多虚拟机系统、加速数据库以及商务智能挖掘任务。
此外新的闪存卡与FlashSoft缓存软件绑定方案也已经出炉。这款软件能够在vSphere、Windows Server以及Linux环境下带来优于非缓存式SSD的I/O延迟水平。
此次更新的SX300在性能表现上亦优于上代版本：
• 4K IOPS随机读取测试结果为35万，远高于上代版本的21万5千。
• 随机写入IOPS为38万5千，高于上代版本的30万。
• 连续读取传输带宽为每秒2.7 GB——上代版本为每秒2.6 GB。
• 连续写入带宽为每秒2.2 GB，远高于上代版本的每秒1.2 GB。
两代版本在读取/写入延迟方面保持一致，皆为92微秒/15微秒。
SX350与SX300在大部分参数上保持一致，但前者的连续读取速率为每秒2.8 GB，且其读取延迟更低、仅为79微秒。
更为高端的PX600在IOPS速度表现方面超过了上代产品，但连续传输带宽却并未实现改进：
• 4K IOPS随机读取测试结果为35万，高于上代版本的33万。
• 随机写入IOPS测试结果为38万5千，高于上代版本的37万5千。
• 连续读取传输带宽为每秒2.7 GB，连续写入传输带宽则为每秒2.2 GB，与上代版本持平。
PX600新版本在延迟水平方面亦没能迎来改进。
SanDisk公司目前大力强调该闪存卡系列产品的可靠性，举例来说，其SX350在不可修复的错误比特率（简称UBER）方面拥有10-20这一惊人的成绩。
根据我们掌握的情况，此次推出的新系列PCIe卡在随机读取性能方面达到上代ioDrive 2产品的两倍。举例来说，此次更新的Mezzanine卡实现高达两倍的性能提升、存储容量增加33%且较上代ioDrive 2 Mezzanine卡在数据访问延迟方面亦有所改善。
让我们通过以下表格了解各更新产品线的具体性能参数：
SanDisk公司指出，每款闪存卡都针对混合型用例或者读取敏感型工作负载进行了优化，同时能够与SanDisk方面刚刚公布的下一代FlashSoft缓存软件并行协作。
除此之外，Virtual Storage Layer（即虚拟存储层，简称VSL）亦迎来了升级，其带来直接内存访问、最低延迟控制以及应用程序吞吐量最大化等机制，但目前我们还没有得到更多细节信息。
我们估计，此次更新将是三步战略中的第一部分。在下一阶段当中，SanDisk公司将把制程工艺进一步缩小，同时利用3D NAND技术提高存储产品的容量水平。
这一全新产品组合目前已经面向部分认证客户进行销售。此外，其同时通过SanDisk企业经销合作伙伴计划供各负责销售SanDisk数据中心硬件与软件产品的SanDisk商业业务渠道合作伙伴进行市场推广。
目前各款产品的具体售价信息尚不明朗。