NAND闪存是近年出现的一种比硬盘更好的存储方案。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND正被证明极具吸引力。NAND闪存芯片在SSD中起到缓冲的作用，对SSD的整体性能有着很大的影响。NAND闪存是影响SSD的最关键因素。（NOR闪存与nand闪存的区别）
目前主流的SSD中主要采用的是MLC NAND闪存芯片。与SLC闪存芯片，但随着技术的发展，如今采用TCL NAND闪存芯片的SSD也已经出现，弥补了多线程随机写入能力不足。
TLC架构在2009年问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。如同MLC技术出现的时候，在NAND Flash知名厂商东芝引发战争后，三星电子变迅速加入战团，使得整个TLC技术大量被量产到终端设备上，但直到2012年10月份，第一款采用TCL NAND闪存芯片的SSD才面试，拉起了三种芯片在SSD竞争的大幕。
TLC架构芯片
TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为寿命、效能等方面也大打折扣，因此在技术发展之初其仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。
固态硬盘(SSD)技术门槛较高，对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品，虽然三星如今已经推出了TCL NAND闪存芯片的SSD，但是具体的表现还要经得起市场的检验。下面我们来看一下三种架构芯片的区别：
首先看看SLC、MLC、TLC、QLC的区别
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，其结构简单但是执行效率高，最大的特点就是速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。其在企业级SSD上比较常见，例如经典的Intel X25-E系列，此外在一些高端的U盘上也有使用。
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，其有00,01,10,11四个充电至，因此要比SLC需要更多的访问时间。其最大特点就是速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命。如今大多数的消费机SSD都是使用的MLC。
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，每个单元可以存放比MLC多1/2的数据，共八个充电值，也有Flash厂家叫8LC，最大特点就是速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。，通常用在U盘或者存储卡这类移动存储设备上。
目前，QLC = Quad-Level Cell架构以及出现，即4bit/cell，支持16充电值，速度最慢寿命最短，目前中技术上在研发阶段，但是intel、三星电子等厂商都已经取得了不错的进展。但在SSD应用中目前仍不现实 。
SSD固态硬盘发展前景巨大，但是对于企业级市场来说，目前出现大规模的应用尚不现实 ，毕竟更加注重数据安全、性价比等方面的企业用户选择SSD并不划算。当然对于消费者用户来说，他们可能会率先享受NAND 闪存给用户带来的超快体验，值得关注2013年的固态硬盘市场。
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