中存储消息，在近日举行的FMS 2023上，SK海力士展出首个321层1Tb TLC 4D NAND闪存样品。
该公司是业内第一家详细公布了300多层NAND开发进展的公司，公司计划提高321层产品的完成水平，并从2025年上半年开始量产。
SK海力士表示，其积累的技术竞争力来自238层NAND的成功，已经投入批量生产，为321层产品的顺利开发铺平了道路。“凭借解决堆叠限制的又一突破，SK海力士将开启300多层NAND时代，引领市场。与上一代 238 层 512Gb 相比，321 层 1Tb TLC NAND 的生产率提高了 59%，这要归功于能够在单个芯片上堆叠更多单元和更大存储容量的技术开发，这意味着可以在单个晶圆上生产的总容量增加。
自从ChatGPT的推出加速了生成AI市场的增长以来，对能够以更快的速度处理更多数据的高性能和高容量内存产品的需求正在迅速增长。
因此，在FMS上，该公司还推出了针对此类AI需求优化的下一代NAND解决方案，包括采用PCIe Gen5接口和UFS 4.0的企业级SSD。
公司希望这些产品能够实现领先的性能，以满足客户的需求，并专注于高性能。
该公司宣布已开始开发下一代PCIe Gen6和UFS 5.0，并通过这些产品获得改进的解决方案开发技术，并表示致力于引领行业趋势。
NAND开发负责人Jungdal Choi在主题演讲中表示，该公司希望321层产品（4D NAND的第5代）的持续开发将有助于公司巩固其在NAND领域的技术领先地位。“随着高性能、高容量NAND的及时推出，我们将努力满足AI时代的要求，并继续引领创新。