半导体世界消息，2019年8月6日，三星电子宣布已开始批量生产250千兆字节（GB）SATA固态硬盘（SSD），该硬盘集成了该公司的第6代（1xx层）256千兆位（Gb）三位V- NAND。该公司已将SSD交付给全球PC制造商。
新款SSD基于业界首款超过100层的第六代V-NAND。它具有业界快速的数据传输速率。
该公司称其新的V-NAND通过突破目前的电池堆叠限制，将3D存储器提升到了新的高度。新产品为之前的9x层单层结构增加了大约40％的单元。该公司通过构建由136层组成的导电模具叠层实现了这一目标，然后从上到下垂直穿透圆柱形孔，形成均匀的3D电荷陷阱闪光（CTF）单元。该公司称这种方法为“通道孔蚀刻”技术。
随着每个单元区域中的模具堆叠的高度增加，NAND闪存芯片往往更容易受到错误和读取延迟的影响。三星表示，它通过采用速度优化的电路设计克服了这些限制。
该公司表示，这种速度优化设计使其能够提供超过300层的下一代V-NAND解决方案，只需安装三个电流堆即可构建，而不会影响芯片性能或可靠性。
利用高速和低功耗特性，三星计划将其3D V-NAND的范围扩展到下一代移动设备和企业服务器等领域。它还针对高可靠性至关重要的汽车市场。
从企业的250 GB SSD开始，三星电子计划在今年下半年提供512 Gb三位V-NAND SSD和eUFS。该公司还计划从明年开始在其Pyeongtaek（韩国）园区扩大更高速和更大容量的第六代V-NAND解决方案的生产，以更好地满足全球客户的需求。
早在7月份，三星电子就大规模生产了世界上第一款12Gb移动DRAM，这些移动DRAM实现了有史以来最快的速度和最大的容量。
三星电子是存储器半导体市场的主导者。市场研究公司IHS Markit表示，它在今年第一季度的DRAM市场份额为40.6％，NAND市场份额为34.1％，排名第一。三星在DRAM市场上与SK海力士（29.8％）以及东芝（18.1％）在NAND市场上的差距很大。