11 月 21 日消息 今天，高通除了发布 Snapdragon 800 四核处理器的升级版本 Snapdragon 805 之外，还发布了最新一代 Gobi 调制解调器芯片组 MDM9x35。据称，该最新基带在 MDM9x25 支持 7 模 14 频之外，还支持 Cat6 LT E网络，速度达到 300Mbps，相比目前 Cat4 LTE 的 150Mbps 快了一倍。
据高通介绍，Gobi MDM9x35 是旗下第四代多模基带，其对应的射频收发芯片为 WRT3925，而且还是全球首款采用 TSMC 20nm 工艺的基带产品，目前主流的华为、英特尔等芯片的基带仍是 40nm 工艺。MDM9x35 全球性的载波聚合，通过两个 20MHz LTE 载波实现了支持 ，TDD-LTE、FDD-LTE Cat.6 网络，理论下行速率最高 300Mbps。
MDM9x35 也兼容此前多种网络制式，包括 DC-HSPA、EVDO Rev.B、CDMA 1x、GSM 和 TD-SCDMA 等等，还包括双载波 HSUPA 和双频段多载波 HSPA+ 网络。MDM9x35 对应的射频收发芯片 WRT3925 基于目前最新 TSMC 28nm 工艺制造，同时是高通首款支持所有载波聚合频段的单芯片射频收发器。
高通宣称，全新的 MDM9x35 在性能和功耗方面均有显著提升，电路板面积占用更少，集成度更密集。为智能手机、平板电脑、超便携笔记本电脑、便携式无线热点设备、数据收发器和客户前提设备提供同类最佳的移动宽带体验。
由于台积电 2014 年初才会投产 20nm 制造工艺，因此高通也表示，MDM96x35 基带及 WTR3925 射频芯都将于明年年初面向客户提供样品。不过，高通今天公布的 Snapdragon 805 目前所集成的仍然是相对较旧的 Gobi MDM9x25 基带，待 MDM9x35 基带真正量产之后才会集成在内。
2013-11-21 09:08:37