SanDisk / WD获得了十二项专利
用于设备附件的存储设备，同步存储状态信息，3D相变存储阵列，自旋轨道扭矩MRAM，包含保形包裹相变材料的3D存储设备，包括离散中间电极的3D相变存储阵列，包括凹面的3D平面NAND存储设备字线，用于改善命令流的存储系统和方法，具有垂直交叉点结构的多状态相变存储设备，具有睡眠适应功能的非易失性存储系统，具有非晶阻挡层的3D存储设备，具有以下功能的3D NAND存储设备多个NAND串的公共位线。
弗朗西斯·佩莱捷| 十月9，2019在2:13下午
设备附件的数据存储设备
SanDisk Technologies LLC（德克萨斯州普莱诺）已获得由Kashyap，Manohar Prasad，Hakoun，Eyal Felix和Shain，Vadim，Milpitas，CA 共同开发的专利（10,394,296）。设备配件。“
美国专利商标局发布的专利摘要指出： “ 一种设备包括无线设备附件的第一接口。第一接口被配置为使用有线通信技术与无线设备通信。该设备包括附件的第二接口。第二接口被配置为使用无线通信技术与无线设备通信。该设备还包括附件的数据存储设备。该设备还包括附件的控制器。控制器耦合到第一接口，第二接口和数据存储设备。控制器被配置为响应于经由第二接口接收到的消息来激活第一接口。”
该专利申请于2018年1月25日提交（15 / 879,751）。
同步存储状态信息
SanDisk Technologies LLC（德克萨斯州普莱诺）已获得由Van Assche，巴特，盐湖城，犹他州，Wipfel，Robert，Draper，UT和克里斯蒂·迈克（盐湖城）开发的专利（10,382,540）， UT，用于“ 同步存储状态信息。“
美国专利商标局发布的专利摘要指出： “公开了与在集群中的节点之间同步状态信息有关的技术。在一个实施例中，第一集群节点接收更新集群的逻辑卷的状态信息的请求。第一集群节点从集群的分布式锁管理器获取锁，该锁控制状态信息的修改。响应于获取锁定，第一集群节点跨集群的集群节点更新状态信息。在一个实施例中，第一集群节点在一些但不是全部集群节点中更新状态信息。在一些实施例中，第一集群节点仅跨与逻辑卷相关联的集群节点更新状态信息。”
该专利申请于2014年8月1日提交（14 / 449,834）。
三维相变存储阵列
SanDisk Technologies LLC，德克萨斯州普莱诺，已获得专利，专利为10,381,559，由Zhou，Fei，San Jose，CA，Makala，Raghuveer S.，Campbell，CA，Petti，Christopher J.加利福尼亚州山景城，Sharangpani，Rahul，加利福尼亚州弗里蒙特，Rajashekhar，Adarsh，加利福尼亚州圣何塞，以及加利福尼亚州普莱森顿的Yang，Seung-Yeul，加利福尼亚州普莱森顿，用于“ 三维相变存储阵列，包括不连续的中间电极及其制造方法使相同。“
美国专利商标局发布的专利摘要指出： “绝缘带和牺牲材料带的交替堆叠形成在衬底上方。可以在每个线沟槽内形成柱腔和柱结构的横向交替序列。在每个柱腔的外围，在牺牲材料条的每一层上形成包括分立的金属部分，相变存储材料部分和选择器材料部分的相变存储单元。垂直位线形成在柱腔的二维阵列中。牺牲材料条的其余部分被导电字线条代替。”
该专利申请于2018年6月7日提交（16 / 002,169）。
自旋轨道转矩磁阻随机存取存储器
，得克萨斯州普莱诺的SanDisk Technologies LLC已获得由加利福尼亚州桑尼维尔的里尔，杰弗里（Lille，Jeffrey）所开发的专利（10,381,551），用于“ 包含屏蔽元件的自旋轨道转矩磁阻随机存取存储器及其制造方法。“
美国专利商标局发布的专利摘要指出： “磁阻随机存取存储器（MRAM）组件包括第一铁磁屏蔽组件，第二铁磁屏蔽组件，位于第一铁磁屏蔽组件和第二铁磁屏蔽组件之间的多个MRAM单元，位于第一铁磁屏蔽和第二铁磁屏蔽之间的多条位线屏蔽组件，每个位线耦合到多个MRAM单元中的至少一个，多个字线位于第一和第二铁磁屏蔽组件之间，每个字线耦合到多个MRAM单元中的至少一个，铁磁磁轭电连接第一铁磁屏蔽部件和第二铁磁屏蔽部件，并且位于组件的基本上不包含MRAM单元，位线和字线的区域以及围绕磁轭的绝缘体。”
该专利申请于2018年6月29日提交（16 / 024,521）。
包含保形包裹相变材料的三维存储设备
SanDisk Technologies LLC，德克萨斯州普莱诺，已获得加利福尼亚州桑尼维尔市的Lille，Jeffrey S.开发的专利（10,381,411），用于“ 包含保形包裹的三维存储设备周围相变材料及其制造方法。“
美国专利和商标局公布的专利摘要指出： “ 一种存储单元包括一个在基板上水平延伸的第一电极，一个叠层，该叠层包含一个相变存储材料层和一个阈值开关材料层，它们包裹在电极周围。第一电极和第二电极，第二电极包含第一垂直部分和第二垂直部分，第一垂直部分和第二垂直部分在基板上垂直延伸并且位于层堆叠的第一和第二侧面上。”
该专利申请于2017年12月15日提交（15 / 844,005）。
包含离散中间电极的三维相变存储阵列
已由德克萨斯州普莱诺市SanDisk Technologies LLC分配了专利（10,381,409），该专利由Zhou，Fei，San Jose，CA，Makala，Raghuveer S.，Campbell，CA，Petti， Christopher J.，加利福尼亚州山景城，Sharangpani，Rahul，弗里蒙特，加利福尼亚州，Rajashekhar，Adarsh，加利福尼亚州圣何塞，以及杨承Y，加利福尼亚州普莱森顿，用于“ 包括离散中间电极的三维相变存储阵列及其制作方法。“
美国专利商标局发布的专利摘要指出： “绝缘带和牺牲材料带的交替堆叠形成在衬底上方。可以在每个线沟槽内形成柱腔和柱结构的横向交替序列。在每个柱腔的外围，在牺牲材料条的每一层上形成包括分立的金属部分，相变存储材料部分和选择器材料部分的相变存储单元。垂直位线形成在柱腔的二维阵列中。牺牲材料条的其余部分被导电字线条代替。”
该专利申请于2018年6月7日提交（16 / 002,243）。
包含凹字线的三维平面NAND存储设备
已获得由Nishikawa，Masatoshi，Hu，Xiaolong，Yokkaichi，Japan和Zhang，Yanli，CA San Jose开发的专利（10,381,376） ，针对具有凹字线的三维平面NAND存储器件及其制造方法。“
美国专利商标局发布的专利摘要指出： “一种三维存储装置，包括绝缘带和导电带的交替堆叠，该绝缘带和导电带位于基板上方并且通过垂直起伏的沟槽彼此横向间隔开。垂直起伏的沟槽在导电条的水平处比在绝缘条的水平处具有更大的横向范围。存储器堆叠组件和介电柱结构的交错二维阵列位于垂直起伏的沟槽中。每个存储器堆叠组件包括垂直半导体通道和一对存储器膜，该一对存储器膜包括分别成对的与导电条的凹入侧壁接触或与凹入侧壁间隔开均匀距离的凸出外侧壁。”
该专利申请于2018年6月7日提交（16 / 002,294）。
用于改善命令流程的存储系统和方法
SanDisk Technologies LLC，德克萨斯州普莱诺，已获得以色列Yarovoy，Boris，Maalot-Tarshiha，以色列开发的专利（10,379,781），用于“ 用于改善命令流程的存储系统和方法 ” 。“
美国专利商标局发布的专利摘要指出： “提供了一种用于改善命令流的存储系统和方法。在一个实施例中，存储系统从主机接收对存储系统中存储的哪些命令准备好执行的指示的请求，响应于该请求，向主机提供对哪些命令的指示。存储在存储系统中的存储已准备好执行，接收到来自主机的指令以执行已准备好执行的命令，并响应于来自主机的指令以执行该命令，执行以下两项操作：执行命令和向主机提供关于存储系统中存储的哪些命令准备好执行的更新指示，其中存储系统向主机提供更新指示，而无需从主机接收单独的更新指示请求。”
专利申请于2016年4月20日提交（15 / 134,104）。
具有垂直交叉点结构的多状态相变存储设备
SanDisk Technologies LLC（德克萨斯州普莱诺）已获得由Nardi，Federico，San Jose，CA，Petti，Christopher J，CA，Mountain View，CA 开发的专利（10,374,014），和Hemink，Gerrit Jan，CA，San Ramon，用于具有垂直交叉点结构的“ 多态相变存储器件”。“
美国专利和商标局公布的专利摘要指出： “ 非易失性存储器在三维垂直交叉点结构中使用相变存储器（PCM）单元，其中多层字线在一个水平方向和位线沿垂直方向延伸。存储单元位于字线的凹入区域中，并且通过卵形阈值开关与位线分开。放置相变存储材料的字线凹槽的表面活性剂衬里提高了存储单元电阻状态的稳定性，从而改善了多态操作。”
该专利申请于2018年1月12日提交（15 / 869,592）。
具有睡眠适应能力的非易失性存储系统
SanDisk Technologies LLC（德克萨斯州普莱诺）已获得以色列专利（10,365,841），该专利由以色列的Elhamias，鲁汶，Kfar Vradim和以色列的MP Misgav的Ram省的Fisher共同开发。具有休眠功能的非易失性存储系统。“
美国专利商标局公布的专利摘要指出： “ 如果在延迟时间内未收到主机命令，非易失性存储系统将进入低功耗待机睡眠模式，以降低功耗。该延迟时间的持续时间是可调的。在一组实施例中，主机命令可以指定延迟值，其应用的操作类型以及该值是当前功率会话的功率还是也将用于重置默认值。在其他方面，与延迟值有关的参数被保存在主机可重置参数文件中。在其他实施例中，存储系统监视主机命令之间的时间，并自动调整该延迟。”
专利申请于2015年7月13日提交（14 / 798,199）。
具有非晶阻挡层的三维存储设备
SanDisk Technologies LLC，德克萨斯州普莱诺，已获得Sharangpani，Rahul，Fremont，CA，Makala，Raghuveer S.，Campbell，CA，Shukla，Keerti，Saratoga开发的专利（10,355,139） ，CA，Zhou，Fei，Milpitas，CA和Peri，Somesh，San Jose，CA，用于具有非晶阻挡层的三维存储器件及其制造方法。“
美国专利商标局公布的专利摘要指出： “ 存储器堆栈结构是通过交替堆叠的绝缘层和牺牲材料层形成的。通过去除对绝缘层和存储器堆叠结构有选择的牺牲材料层来形成背面凹槽。可以在形成金属填充材料层之前形成导电的非晶阻挡层，以提供扩散阻挡层，该扩散阻挡层减少了金属填充材料层与存储堆叠结构的存储膜之间的氟扩散。导电的非晶阻挡层可以是含氧的钛化合物或三元过渡金属氮化物。”
专利申请于2016年10月12日提交（15 / 291,640）。
具有用于多个NAND串的公共位线的三维NAND存储设备
SanDisk Technologies LLC，德克萨斯州普莱诺，已获得由Zhang，Yanli，San Jose，CA，Kai，James，Santa Clara，CA开发的专利（10,355,015），以及位于加利福尼亚州圣何塞市约翰·阿斯迈尔的“ 三维NAND存储设备”，其中每个存储块中的多个NAND串具有公共位线。“
美国专利商标局发布的专利摘要指出： “存储器件包括绝缘层和导电层的交替堆叠。垂直NAND串通过交替堆叠形成，每个堆叠包括漏极区，存储单元电荷存储晶体管和串联连接的一对漏极选择晶体管。公共位线电连接到两个垂直NAND串的漏极区域。配置两个垂直NAND串的漏极选择晶体管，使得共享第一公共漏极选择栅电极的漏极选择晶体管为两个垂直NAND串之一提供较高的阈值电压，并且共享第二公共漏极选择栅的漏极选择晶体管电极为两个垂直NAND串中的另一个提供更高的阈值电压。”
该专利申请于2018年4月9日提交（15 / 948,737）。
用于设备附件的存储设备，同步存储状态信息，3D相变存储阵列，自旋轨道扭矩MRAM，包含保形包裹相变材料的3D存储设备，包括离散中间电极的3D相变存储阵列，包括凹面的3D平面NAND存储设备字线，用于改善命令流的存储系统和方法，具有垂直交叉点结构的多状态相变存储设备，具有睡眠适应功能的非易失性存储系统，具有非晶阻挡层的3D存储设备，具有以下功能的3D NAND存储设备多个NAND串的公共位线