半导体联盟消息，历经一年多的景气循环，存储器大厂库存去化有成，加上供给端新增产能有限，今年受惠 5G 时代来临，供需将趋于平衡，甚至可望供不应求；随着产业将迎来好年，台厂今年也将陆续有新制程技术问世，搭上产业景气步入上升循环的多头行情。
过去一年多以来，DRAM 原厂去化库存有成，除去年第 3 季旺季需求顺利启动外，市场新产能也有限，在 5G 需求带动下，加上智能音箱、4K/8K 电视、ADAS (先进驾驶辅助系统)、物联网与AI等，也将持续推升 DRAM 需求，业者看好，今年 DRAM 供需将趋于稳定，下半年甚至可能供不应求。
NAND Flash 除供应商库存持续下降、供给成长也保守，同样受惠 5G 需求驱动，加上笔电搭载 SSD 比重与容量显著提升，数据中心客户也积极备货，且次世代游戏主机将搭载 SSD 规格提升等，均成为刺激 NAND Flash 需求增温的动能，今年 NAND 价格可望走出去年雪崩惨况、稳健向上，下半年也可能面临供给短缺情况。
就在存储器产业景气将走出去年谷底之时，台厂新制程技术也将在今年相继问世。旺宏 (Macronix) 的NOR Flash 与 NAND Flash 产品线，一路走来均坚持自主研发技术，去年成功量产 19 纳米 SLC NAND Flash，持续追赶 NAND Flash 大厂脚步，第一批产品 SLC NAND Flash 4GB 产品已出货美国机上盒大客户。
除 SLC NAND 外，旺宏今年下半年将量产 48 层 3D NAND Flash，届时游戏机大客户也可望采用，旺宏并预计于 2021 年量产 96 层 3D NAND、2022 年量产 192 层 3D NAND。
华邦电 (Winbond) 拥有工研院技转背景，早期 DRAM 制程主要来自由英飞凌分割出来的奇梦达授权，但在奇梦达倒闭后，华邦电买下其 46 纳米 DRAM 制程技术，成为其自主研发基础，而后成功自主开发 38 纳米技术，并于 2018 年第 4 季开始小幅量产 25 纳米 DRAM 制程技术。
然而，2018 年第 3 季起，DRAM 产业受中美贸易摩擦影响，加上终端需求趋缓，且供给端集中在下半年开出，DRAM 价格在第 4 季终结连 9 季上扬态势，而华邦电 25 纳米制程量产的时间点，刚好碰上 DRAM 市况反转。
受到 DRAM 市况不佳影响，华邦电 25 纳米新制程转进较为辛苦，客户端验证速度趋缓，价格压力也更大，去年第 2 季 25 纳米占整体 DRAM 营收占比仅约 2%，但第 3 季起受惠传统旺季需求顺利启动，到第 4 季时占比已成长至 6%，惟受到 DRAM 价格下滑冲击，加上 25 纳米开发成本高，第 4 季单季营运因此转亏。
不过，华邦电看好，25 纳米制程良率本季将趋于稳定，新制程转进可望逐步步入轨道；而为下世代 20 纳米技术做准备，华邦电也将在中科 12 吋厂进行新制程研发，新设备装机导入预计今年第 2、3 季可望到位。
南亚科 (NANYA) 目前主力为 20 纳米制程技术，来自美光授权，今年初并宣布成功开发出 10 纳米级 DRAM 新型记忆胞技术，再度走回自主研发之路，第一代 10 纳米级前导产品 8Gb DDR4、LPDDR4 及 DDR5，涵盖消费型、低功率与标准型产品，预计今年下半年陆续进入试产。
第二代 10 纳米级制程技术已进入研发阶段，预计 2022 年前试产，也会开发第三代 10 纳米级制程技术，确立下世代 10 纳米级 DRAM 将采用自主研发技术，不再走授权，摆脱动辄上百亿元的授权金与专利费用。
虽然目前台厂在 DRAM 与 NAND Flash 市场，市占率仍不高，不过，随着各家存储器厂自主研发的新制程技术陆续量产，与大厂间的技术差距也逐步缩小，而受惠 5G 商机推升产业需求扬升，今年存储器将迎来好年，新制程技术的转进也可望搭上这波景气上升循环，趁势起飞。