半导体联盟消息，存储器大厂华邦电17日宣布，开发出业界首款新型高速Octal NAND Flash产品，可望使高容量序列（Serial）介面NAND Flash成为当前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案，解决NOR Flash容量愈大、成本愈高问题。华邦电表示，Octal NAND Flash可望于1Gb以上储存容量级别，提供车用与工业应用领域稳健可靠的储存存储器。
华邦电去年第四季虽然小亏，但全年仍维持获利。去年合并营收487.71亿元（新台币，下同），归属母公司税后净利12.56亿元，与前年相较减少83.1％。今年以来存储器价格止跌回升，但因农历春节长假导致工作天数减少，华邦电公告1月合并营数月减9.6％达36.83亿元，较去年同期减少5.0％。法人预估华邦电2月营收回稳，3月后营收表现将进入新一波的成长循环。
华邦电认为新冠肺炎的影响是短期，3月会恢复产业供需秩序，而随着5G等应用带动存储器需求，加上上半年递延的需求会在下半年快速补上，预期下半年DRAM及NAND/NOR Flash市场将供需平衡甚至是供不应求。华邦电今年资本支出提升至143亿元，较去年的132亿元增加约8％，维持近4年来积极布局策略。
随着5G商用带动人工智能物联网（AIoT）市场快速成长，但用来储存程式码的NOR Flash却因容量需求愈高，成本也出现倍数成长，特别是在512Mb以上的储存容量NOR Flash成本扩充效益不佳。华邦电宣布推出同样采用序列x8 Octal介面的Octal NAND Flash，可望提供车用电子与工业制造商高容量的储存存储器产品，无须屈就成本砸大钱购买NOR Flash。
华邦电表示，NOR Flash技术可靠性高且读写速度快，可支援快速启动，因而华邦电客户大多以此技术作为存储器存储方案。然而目前业界的晶圆制程技术，在NOR Flash存储器容量达512Mb的情况下，芯片尺寸已经到达了业界标准封装的极限，超过512Mb容量后扩充效益低落，并大幅推升芯片尺寸与封装成本。
华邦电首款1Gb容量Octal NAND Flash连续读取速度最高可达每秒240MB，相较华邦电先前发表的高效能Qspi NAND Flash系列产品速度高出3倍，相较于市面上一般Quad Serial介面NAND Flash产品的读取速度更是快了将近10倍。新产品采用华邦电46纳米SLC NAND制程，资料保存期可达10年以上，写入及抹除次数可达10万次以上，符合关键任务型车用与工业应用所需的高耐用性与高可靠性。