中存储网9月2日消息，紫光集团旗下长江存储在宣布，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。作为中国首款64层3D NAND闪存，该产品将亮相IC China 2019紫光集团展台。
长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品，拥有同代产品②中最高的存储密度。Xtacking可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元，这样有利于选择更先进的制造工艺。
当两片晶圆各自完工后，Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合。相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。紫光旗下的长江存储宣布量产国内首个64层堆栈的3D闪存，采用了自研Xtacking架构，核心容量256Gb。
紫光表示，长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品，拥有同代产品中最高的存储密度。
根据紫光的信息，Xtacking可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元，这样有利于选择更先进的制造工艺。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合。
相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。
目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps，而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技术我们有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，与DRAM DDR4的I/O速度相当。
根据官方的信息，长江存储致力于为全球客户提供完整的存储解决方案及服务，并计划推出集成64层3DNAND闪存的固态硬盘、UFS等产品，以满足数据中心，以及企业级服务器、个人电脑和移动设备制造商的需求。
长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示：“通过将Xtacking架构引入批量生产，能够显著提升产品性能，缩短开发周期和生产制造周期，从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。”
程卫华还提到，“随着5G，人工智能和超大规模数据中心时代的到来，闪存市场的需求将持续增长。长江存储64层3DNAND闪存产品的量产将为全球存储器市场健康发展注入新动力。”
关于长江存储
长江存储科技有限责任公司（“长江存储”）是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。
注：
①每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位，每个存储单元为三个字位的三维闪存。
②特指截止目前业界已上市的64/72层3D NAND 闪存。
关于Xtacking技术
Xtacking®：创新架构使3D NAND能拥有更快的I/O接口速度
采用Xtacking®，可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking®技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。
Xtacking®：创新架构使3D NAND能拥有更高的存储密度
传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%，降低了芯片的存储密度。随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。Xtacking®技术将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。
Xtacking®：模组化的工艺将提升研发效率并缩短生产周期
Xtacking®技术充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。此外，这种模块化的方式也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了可能。
相关信息：
长江存储被评为2018年度最具创新力存储公司，https://www.chinastor.cn/company/ymtc.html