半导体联盟消息，今日据国外媒体报道，上周曾有报道称，研究机构预计三星电子的3nm制程工艺，不太可能在2023年之前量产，量产的时间可能会晚于台积电的3nm工艺。
而英文媒体最新的报道显示，采用全环绕栅极晶体管（GAA）技术的三星3nm制程工艺，目前在研发方面仍有挑战，还有关键技术问题尚未解决。
英文媒体是援引产业链人士的透露，报道三星3nm工艺的研发仍面临挑战的。
这名产业链的消息人士还透露，就成本和芯片的性能来看，采用全环绕栅极晶体管（GAA）技术的三星3nm制程工艺，竞争力可能低于采用鳍式场效应晶体管技术（FinFET）的台积电3nm工艺。
在芯片制程工艺方面，三星电子虽然实力强劲，但他们已有多代制程工艺的量产时间晚于台积电，7nm和5nm就是如此，他们也已连续多年未能获得苹果A系列处理器的代工订单，在芯片代工市场的份额，也远不及台积电，他们对3nm工艺也寄予厚望。
值得注意的是，今年6月底，曾有外媒在报道中称，三星电子寄予厚望的3nm芯片制程工艺，已经顺利流片，距离量产又更近了一步。