球状焊接芯片正式入驻固态驱动器产品线。
EverSpin的MRAM芯片BGA焊球细节
东芝公司已经发布了其体积更为小巧但容量更高的平板设备专用SSD，而其终极轻薄的效果源自TLC 3D NAND与BG1 SSD卡产品线的结合——存储容量亦借此实现倍增。
BG1 SSD最初诞生于2015年8月，为一款容量256 GB的NVMe M.2产品。此产品配备边缘连接器并可接入插槽当中。
这款芯片本身以焊接方式固定至M.2卡之上，且采用一套球栅阵列（简称BGA）。这种球形焊接直接深入表面之下，可用于将芯片连接器同母卡直接相连。
这种新的连接方式能够替代过去的针脚设计——而且与BGA相比，针脚固定方式存在着易弯曲变形及电感较高的等缺点。
东芝公司于2015年1月公布了其首款NVMe BG系列芯片，其采用19纳米东芝MLC（二层单元）闪存并提供128 GB与256 GB两种容量选项。另外，其还提供芯片内置控制器与NVMe驱动的PCIe 3.0接口。这套BGA封装方案被用于M.2 BG1 SSD，体积为16毫米x 20毫米，与最新BG产品保持一致。
根据我们得到的消息，其表面积较东芝的2.5英寸SATA存储设备降低了95%，相较于M.2 Type 22806封装亦缩小82%。
左侧为东芝BG1的小型边缘连接器卡。
而随着TLC（即三层单元）3D NAND与东芝BiCS技术的配合，BG芯片的容量将提升至512 GB。我们假定其采用48层BiCS。目前尚不清楚具体性能——包括IOPS或者传输带宽——或者使用寿命信息，不过可能已经有部分OEM合作方拿到了这部分数据。
新一代产品提供128 GB、256 GB与512 GB容量选项，且通过16毫米x 20毫米封装（M.2 Type 1620）或者可移动（插槽）M.2 Type 2230模块交付。
这款设备采用PCIe第三代x2接口，同时可实现NVMe标准主机内存缓冲（简称HMB）功能。其可分配并利用主机DRAM进行闪存管理，而不再依赖于内置DRAM。对主机内存中的数据进行查询能够显著降低常规数据的访问延迟。
MRAM芯片开始利用球状焊点网格实现对接
BG 3D NAND SSD将受众指向平板设备以及轻薄型与便携式二合一笔记本产品OEM厂商。
目前相关样品已经开始向PC OEM客户定量提供，预计批量供应将于2016年第四季度实现。参与本届8月8号到11号于加利福尼亚州圣克拉拉市召开的2016年闪存记忆体峰会的朋友将能够了解更多来自东芝方面的新消息。