存储资讯

• 三星将提升HBM4 DRAM产能70%，以满足英伟达和AMD需求

  2026-02-14

• SK海力士出“王炸”：HBF+HBM，每瓦性能提升2.69倍

  2026-02-14

• Object First 2025 年同比增长达 183%

  2026-02-13

• 5D存储晶体存储时间胶囊，与未来世代的对话成为可能

  2026-02-12

• 东芝硬盘成功验证用于共振型微波辅助磁记录的“自旋扭矩振荡元件” 振荡状态评估方法

  2026-02-12

• Kioxia和Sandisk延长横日工厂合作期

  2026-02-06

• SNIA 公布 Swordfish v1.2.9 规范工作草案

  2026-02-06

• Giga新主板采用Intel Xeon 600处理器，显著提升性能

  2026-02-06

• 雷顿科技发布SR4-B32 4槽USB-C硬件RAID存储机箱

  2026-02-06

• Vast Data 海量数据启动 Vast Amplify计划，高效提升闪存容量

  2026-02-06

• 浪潮计算机：用心服务，护航企业数字化转型

  2026-02-05

• 西部数据加速 AI 时代存储创新

  2026-02-04

• AI巨头们已经买光了未来3年的DRAM存储芯片产能

  2026-01-19

• Lightbits Labs 实现创纪录增长，组织标准化 NVMe over TCP 以实现 AI 兼容基础设施

  2026-01-19

• 传SK海力士考虑退出消费级存储市场，下一个会是谁？

  2026-01-16

• “存储芯片第一股”史诗级IPO！3000亿元长鑫科技来了

  2026-01-09

• MLC NAND Flash转向利基型产品，大厂淡出供应引发供应链重组

  2026-01-09

• HBM4受规格提升与英伟达策略调整影响，预估量产时程延至2026年第一季度末

  2026-01-09