昨日，楚天金报从总部位于光谷的武汉新芯集成电路制造有限公司（下称：武汉新芯）获悉，经过半年技术攻关，该公司首个具有9层结构的存储测试芯片正式下线，并一次性通过存储器功能的电学验证。这意味着其3D NAND（三维存储芯片）项目取得了突破性进展。
“目前国内还是空白，预计市场规模达千亿元。东湖高新区相关负责人告诉记者，按照计划，将在东湖高新区投资建造存储器生产基地，投产后每月预计可达到20万片。
指甲大小芯片可装千部高清电影
想象一下，在指甲大小的芯片上盖起9层高楼，难度有多大？
据了解，这种具有9层结构的存储芯片容量达1TB及以上（1TB=1024G），一枚指甲大小的芯片将可装高清电影1000多部，可广泛用于手机、电脑等电子产品，被誉为最有市场的“超级存储器”。
“由于其技术难度高，目前全球仅一家公司实现3D NAND量产。”武汉新芯执行长杨士宁博士表示，该公司将打破国外技术垄断，有望填补国内空白，加入国际3D NAND技术的竞争行列。“在预计的时间节点完成了所有研发过程。”杨士宁表示，接下来将逐步建立完全自主可控的知识产权，产品将按时推向市场。
光谷打造全国最大存储器基地
机构预计，未来3年内，三维数据型存储产品将成为闪存市场的主要产品。目前，全球市场规模大约在400亿美元（约2456亿元人民币），其中我国的消费量就已超全球市场一半。“这是全新的领域，我们完全可以实现弯道超越。”武汉新芯相关负责人告诉记者，作为国家首批重点集成电路制造商，该公司已经拥有一定的技术与产业基础。
不久前，武汉新芯一举拿下三项国家大奖，去年已实现整个生产过程全自动化、无人化。今年，该公司二期系统工程将全面上马。
另一方面，以武汉新芯为龙头，芯片产业已成为光谷既定战略。除成立一只专项产业基金外，东湖高新区正在积极申建国家级存储器工程技术中心，打造全国最大存储器基地，将设立投融资平台，鼓励社会资本参与。