全球DRAM市场先抑后扬。2015年DRAM收入预计下降2.4%，2016年将下降10.6%，有望在2017年与2018年迎来复苏。但是，预测随着中国公司携本地产品进入DRAM市场，DRAM价格将在2019年再次下降；占2014年内存用量需求20.9%的传统产品（桌面PC与传统笔记本电脑）产量预计在2015年下降11.6%，并在2016年进一步下降6.7%。
DRAM市场2016年供过于求
近期，我们对于DRAM市场的预测不会发生显著变化；2015年与2016年将遭遇市场总体营收下滑，而在2017年与2018年迎来市场复苏，但是对2019年的预测结果将出现变数。此前，我们预计市场复苏后会出现一定的营收下滑；现在，我们认为将出现的营收下降比预期更加严重。这一预测是基于中国将掌握DRAM技术，且本土产能将于2019年进入市场，从而导致价格战与市场规模大幅下滑。
步入2016年，Gartner认为芯片产能将出现小幅增长，加之整体需求缺乏明显亮点，将导致今年大部分时间供过于求。但是，随着2017年与2018年需求走强，市场将快速反弹，整个行业将重新迎来收入增长。
在DRAM市场需求方面，结构化调整仍将继续。传统PC对于总体DRAM用量需求从2010年的51.7%降至2014年的20.9%；而随着产量下降以及单机搭载率增长放缓，预计到2019年将继续降至8.4%。但是，我们预计智能手机所占份额将从2014年的22.1%增至2019年的32.7%，实际市场峰值将出现在2017年。
2015年，智能手机取代PC与超级本和平板电脑的需求成为DRAM的最大市场。同时，由于构建云服务需要更多服务器以及更高的DRAM配置，服务器份额将继续增长；此外，内存内计算（In memory computing）在2016年的不断普及将使服务器方面的需求超过传统PC的需求。
四大应用（传统PC、超级本和平板电脑、智能手机与服务器）对DRAM需求总量仍将增长，占市场总量的比例将从2014年的65.7%增至2019年的67.2%。
2019年中国DRAM产能有望进入市场
2015年的DRAM容量供应增速将达到20.4%。由于芯片新增产能以及20纳米产量增长，DRAM供应的增速将在2016年达到29.8%。自我们上一次预测以来，2015年与2016年总体容量供应增速均有所下降；在2015年，比我们预测的增速低了1.8%，而在2016年，则比我们预测的增速低4.3%。
到2018年，中国企业或中国扶持的现有厂商将获得本土DRAM产能。中国对于半导体市场制定的发展目标非常明确。更加显而易见的是，它渴望进入内存市场。到2018年，Gartner预计中国将建立新的DRAM工厂，到2019年，这部分产能将正式进入市场。中国将经由以下两种方式获得该项技术：依托当前某家大型厂商的帮助或通过收购小型厂商而初步获得生产技术。
对于SK Hynix半导体公司与美光科技有限公司（Micron Technology）而言，这是一个经典的“囚徒困境”——它们本不应向中国提供任何帮助，如此方能尽量阻碍中国进入存储行业。但是一旦有厂商向中国提供了相关技术以换取支持，那么其他厂商又会在与中国及三星争夺市场份额的竞争中将处于严重不利地位。
如果中国下定决心步入DRAM行业，我们预计三星将凭借技术与成本优势竭力阻挠。因此，我们预计2019年DRAM市场价格将再次出现下滑。
3D NAND是降低成本和市场增长的焦点
平面TLC闪存在2016年将继续生产，但Gartner仍对3D NAND产量持审慎态度，预计其仅占2016年总产量的18%。
在供给可见性方面，NAND行业仍处于不稳定期。技术难题限制了15纳米以下的产品，而促进了TLC闪存的更广泛普及，同时，3D技术也将推动传统工艺几何密度。Gartner预计行业中的大部分厂商最终将再次缩减传统平面产品，3D NAND是未来降低成本和市场增长的焦点。
得益于TLC技术和3D NAND的发展，NAND闪存供应量将在2015年和2016年分别增长43.5%与37.9%。自上一次技术升级以来，闪存供应量已显著提高，不是由于产能增加，而是因为先进的TLC产量日益扩大。所有厂商都在逐步提升其TLC技术，其中，SK Hynix半导体公司与三星最为雄心勃勃，且2015年下半年在积极扩大相关技术方面大获成功。此外，3D NAND吸引了更多关注，所有其他大型NAND厂商（其中几家正计划提升产能）正在或者准备推出样品。但是，新技术的商业化永远不会一帆风顺，因此虽然Gartner调高了部分供应商的3D NAND产量，但仍显著低于公开声明。Gartner对于产能扩大持谨慎态度，并可能需要3～6个月时间来证明该新技术是否达到预期。
到2018年，至少1家中国企业将在中国建立NAND产能。中国对于半导体市场制定的发展目标非常明确。更加显而易见的是，它渴望进入内存市场，尤其是NAND闪存市场。以下事实均证明中国有意成为世界领先的NAND闪存生产国：一是中国政府积极支持现有晶圆代工企业；二是地方政府为了引入先进技术与存储企业，向相关企业提供激励政策；三是投资者财团可单独投资。种种努力均为了实现中国自主制造闪存，这是中国的国家战略之一。
虽然有关3D NAND新建工厂、技术开发、时间表、培育竞争性闪存生态系统的能力等方面的具体信息尚不明确，但必须为其所带来的影响力做好准备。Gartner目前估计，中国方面的投资，即直接投资于新公司或现有公司，将促使芯片产能在2017年与2018年分别增长14%。同时，Gartner对现有工厂建设计划持保守意见。尽管如此，这一庞大的产能出现后将对2017年下半年与2018年的市场带来冲击。