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IBM宣布9nm碳纳米管技术开发成功

2015-10-12 11:13:33 来源:中存储

IBM公司10月2日宣布了一项创新突破,其涉及到用钼元素材料来制作纳米通道两端的接触点,然后直接将这些接触点连至晶体管线的侧面。通过这种方法,晶体管尺度的缩小就不会增加接触电阻。

IBM研究人员表示,他们已经成功地用这种方法制作出了9nm的晶体管,并且预计该技术可用于1.8nm的节点。

在一篇博客文章中,研究员Shu-Jen Han概述了碳纳米晶体管的下一个挑战:该公司现有一种用于定位纳米管的解决方案,但还必须找到一种方法来消除上面的金属(不适用于打造晶体管的部分约为33%)。

眼下,Han说他的团队已经开发出了一种自组装碳纳米管、并在晶圆上面定位它们的方法。他预计未来的挑战是提升纳米管的密度,以便将整个晶圆的制程缩减到10nm甚至更小的间距。

背景资料:

纳米管比人的头发丝还要细1万倍,而它的硬度要比钢材坚硬100倍。它可以耐受6500°F(3593℃)的高温,并且具有卓越的导热性能。纳米管既可以用作金属导电体,比金的导电性高得多,也可以用作制造电脑芯片所必须的半导体。纳米管在极低的温度下还具有超导性。