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研发:直接观察半导体金属MoTe2中层间滑动在原子水平上触发的偶极子形成

2025-08-20 00:00:35 来源:中国存储网

《纳米快报》发表了由武汉理 工大学材料合成与加工先进技术国家重点实验室,武汉理工大学纳米结构研究中心,苏贤丽撰写的文章, 武汉理工大学 材料合成与加工先进技术国家重点实验室, 罗浩, 武汉理工大学材料合成与加工先进技术国家重点实验室, 武汉理工大学纳米结构研究中心, 材料合成与加工先进技术国家重点实验室 温希丽, 武汉理工大学,华中科技大学物理学院 戴寅,刘珂珂,葛浩然,张庆杰,武汉理工大学材料合成与加工先进技术国家重点实验室,华中科技大学物理学院吴梦浩,武汉理工大学材料合成与加工先进技术国家重点实验室,武汉理工大学材料合成与加工先进技术国家重点实验室。

摘要:“八面体MoTe2是非极性1T′相,随着层堆叠顺序的变化,在∼260 K时转变为极性T-d相。然而,由于很难在原子分辨率下捕获层间滑动,因此MoTe2通过冷却到低温形成偏振的机制在很大程度上仍不清楚。在这里,我们通过原位冷冻-(S)TEM来应对挑战,以追踪原子水平的层间滑动和vdW层MoTe 2中的诱导偏振。当它在 300–193 K 范围内时,我们观察到 1T′-I 结构域内局部 T d 结构域的逐步形成。此外,我们还对110 K下1T′/T d相的无序混合堆叠进行了原子尺度观察。使用滑动能垒(2.7 和 5.3 meV/u.c.)构建了两种可能的滑动模型,表明热可及的滑动行为。我们对滑动诱导极化的研究为开发基于滑动铁电的非易失性存储器件提供了有意义的见解。