ACM 数字图书馆在2025年第 35 届五大湖区超大规模集成电路研讨会 (GLSVLSI 2025)论文集上发表了一篇文章，作者是 Sandisk ， Milpitas， USA 的 Mark Kraman、Matt Zhu 和 Yan Li。
摘要：“半导体技术开发涉及在预开发、开发、爬坡和大批量制造的所有阶段管理成本和周期时间。随着 NAND 闪存世代的进步，制造复杂性不断增加，这促使人们使用先进的预测建模来降低开发风险。因此，为了有效地进行持续创新，NAND存储器集成器件制造商与业界共同采用半导体工艺和器件建模工具，将晶圆厂的制造过程数字化，并实现新器件结构概念、工艺流程变体和回顾性缺陷建模的预测建模。这项工作讨论了NAND闪存扩展的趋势，以及与3D NAND开发相关的工艺技术建模应用，涵盖了与前沿节点技术开发和寻路相关的成功和发展机会。
论文相关相关链接：Proceedings of the Great Lakes Symposium on VLSI 2025 | ACM Conferences
第 35 届五大湖区超大规模集成电路研讨会（GLSVLSI 2025）** 是由 ACM SIGDA 主办的国际学术会议，将于 2025 年 6 月 30 日至 7 月 2 日在美国新奥尔良举行。该会议聚焦于超大规模集成电路（VLSI）领域的最新研究与技术进展，涵盖计算架构、低功耗设计、异构系统、集成电路安全、物联网硬件等前沿主题。GLSVLSI 致力于促进学术界与工业界的深度交流，所录用论文将由 ACM 正式出版，收录至 ACM Digital Library，并被 Scopus、Ei Compendex、Web of Science 等国际权威数据库检索。该会议为芯片设计与集成电路研究领域的重要平台之一，吸引了全球众多知名学者和工程师参与。