楚天都市报讯（记者庞正 通讯员张珊妮 吴非）总投资240亿美元（约1600亿元人民币）的国家存储器基地项目，经过近一年的筹备调整，于2016年12月30日正式在武汉未来科技城开工建设。它标志着中国集成电路存储芯片产业，在规模化发展上实现了“零”的突破。
位于光谷东的该基地，将建设3座全球单座洁净面积最大的3DNANDFlashFAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑。一期计划2018年建成投产，2020年完成整个项目，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。
集成电路是信息技术产业的核心，是支撑社会经济发展和保障国家信息安全、产业安全的战略性、基础性和先导性产业，而存储器最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺。位于武汉的国家存储器基地项目将以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体。项目建成后，以此为龙头将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展，将为中国打破主流存储器领域空白，实现产业和经济跨越发展提供重要支撑。目前，湖北省和武汉市正在举全省、全市之力，聚全球资源，将这一项目打造成湖北省调结构、实现转型跨越发展的千亿高科技产业项目。
国家存储器基地项目由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设。紫光集团董事长兼长江存储公司董事长赵伟国介绍，国家存储器基地不仅是中国集成电路行业单体投资最大的项目、湖北省最大的投资项目，更是中国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破。“这个项目对中国科技事业的意义，不亚于辽宁号航空母舰出海试航。”
工业和信息化部和国家发展改革委相关领导表示，国家存储器基地项目的实施必将进一步带动湖北省、武汉市集成电路产业发展，推动中部地区崛起和经济转型升级，促进我国集成电路产业向更高水平发展。将会同有关部门和地方，加强规划引导，大力推动、重点支持国家存储器基地项目建设，着力促进产业集聚和产业链协同。