在经历过去两年存储芯片产业的繁荣之后，预计全球经济面临的不确定因素将增加，市场对芯片需求的增长幅度也有所趋缓，SK海力士表示将专注于加强芯片制造的基本竞争力，提高芯片生产良率以降低产品成本。
之前，三星预警芯片业务将面临艰难的一年，美光在最新财报中也表示，决定减少晶圆投片量以及减少资本支出，平衡市场供需。在第71届股东大会上，SK海力士CEO Lee Seok-hee认为，在市场环境恶化的情况下，竞争力来自技术实力，公司将通过提高纳米技术的良率和削减成本来加强基础的优势。
在DRAM技术上，SK海力士1ynm DRAM将在2019年开始供货，还成功开发出1ynm 16Gb DDR5 DRAM，支持5200Mbps的数据传输速率，比上一代的3200Mbps快约60％，每秒可处理41.6GB数据或11个全高清视频文件（每个3.7GB），将于2020年大规模量产。
另外，SK海力士在2018年底提倡优秀的工程师即使在法定退休年龄60岁之后仍能继续工作，鼓励高技能工程师充分利用他们的专业知识和能力，确保公司核心竞争力。
SK海力士提高DRAM技术能力，也是感受到来自竞争对手的压力。三星已宣布在平泽厂规模量产12GB LPDDR4X，2019下半年将增加3倍的供应量，还率先进入1znm技术，下半年量产8Gb DDR4，生产率可提高20%以上。美光也将在2019下半年持续增加1ynm产量，同时送样下一代1znm新技术产品。
对于后续产业发展，SK海力士CEO Lee Seok-hee表示，尽管芯片产业后续发展引发市场担忧和关注，作为全球第二大DRAM提供商仍在京畿道龙仁市砸下120兆韩元的赌注。虽然全球经济动荡，芯片相关产业相对低迷，是目前的现状，但SK海力士认为供需将在2019下半年得到平衡，并看好后续未来10年的发展。
之前，SK海力士公布了未来10年的投资计划，曾表示要在韩国龙仁市投资120兆韩元参与建设半导体工业区的项目，自2022年开始着手建设4个半导体工厂（FAB），除了利川，以后龙仁市将成SK海力士生产DRAM和相关半导体的重要基地，而清州是NAND Flash的核心生产基地。