半导体联盟消息，在最新财报中，美光科技（Micron Technologies）宣布旗下第二代高带宽存储器（HBM2）即将开始出货。HBM2主要用于高性能显卡、服务器处理器以及各种高端处理器中，是相对昂贵但市场紧需的解决方案。
第二代高带宽存储器（HBM2）指定了每堆8个裸晶及每针传输速度上至2GT/s的标准。为保持1024比特宽的访问，第二代高带宽存储器得以在每个封装中达到256GB/s的内存带宽及上至8GB的内存。业界预测第二代高带宽存储器对极其需要性能的应用程序，如虚拟现实，至关重要。
2016年1月19日，三星集团宣布进入大量生产第二代高带宽存储器的早期阶段，每堆拥有高达8GB的内存。SK海力士同时宣布于2016年8月发布4GB版本的内存。而伴随着美光的即将出货，存储器市场将会再次形成三雄割据的场面。
此前，美光的开发重心都放在专有的混合存储多维数据集（HMC）DRAM类型上，不过这种类型的DRAM并没有获得太多客户的吸引力，因此始终没有太大的改变。仅使用了少数稀有产品，如2015年在富士通PRIMEHPC FX100超级计算机中使用的富士通SPARC64 XIfx CPU。
美光宣布将在2018年暂停HMC的工作，并决定致力于GDDR6和HBM的开发。因此他们将会在今年的某个时候发布搭载HBM2 DRAM的产品。