中存储网消息，来自中国的一支科学家小组向中存储网记者表示，3D XPoint本质上属于相变存储器，但英特尔与美光公司并未公开承认。
相变存储器（简称PCM）利用硫族化合物的特性确保其内部状态会随着不同的电阻水平在晶体与非晶体之间变化。不同状态可用于向中存储网记者表示二进制的1或0。
英特尔公司指出，3D XPoint技术基于存储单元实现性质改变，但其本质上并不属于PCM。美光公司曾在2016年的采访当中向中存储网记者表示，“与相变存储器不同，3D XPoint技术采用独特的交叉点结构，使其能够以相变存储器无法实现的方式进行规模扩展。”
科学家们在《中国信息科学》杂志发表了题为《从八面体结构母题到数据存储相变材料的亚纳秒相变》的研究论文，其中对此作出了讨论。
作者们回顾了相变随机存取存储器（PCRAM aka PCM）并宣称：
最近，这项技术已经被英特尔公司成功用于基于商业PCRAM的3D XPoint。
3D XPoint的成功商业化源于Ovonic存储器切换（OMS）、Ovonic阈值切换（OTS）选择器、受限结构以及大型金属字与位线等因素的结合。3D XPoint的存储单元属于基于相变原理的相变存储器（1R）。
作为驱动电路，OTS选择器（1S）亦采用与1R完美兼容的硫族化合物。
得益于OMS与OTS的简单结构，二者均采用金属/硫族元素化合物/金属结构，其易于实现3D集成，从而实现3D XPoint所承诺的大容量存储水平。
这显然是对英特尔论点的直接攻击。
我们向芯片巨头询问研究人员们的断言是否正确。该公司一位发言人：“英特尔公司尚未披露3D XPoint存储介质的具体材料，亦未公开英特尔Optane SSD与存储器中使用的底层存储介质或制造工艺。”
因此，如果它看起来像相变存储器、用起来也像相变存储器，那么……英特尔仍然拒绝承认。