电脑、手机、汽车、数码相机等等各种电子产品，都需要存储芯片。中国作为全球最大制造国，对存储芯片有巨大需求，我国对存储芯片的需求占全球约两成比例，近两年全球存储芯片价格持续上涨对中国产生了巨大影响，导致本来就利润微薄的行业饱受其苦，要打破这种局面，实现存储芯片的自主可控是最好的也是唯一的出路。在这种背景下，中国开始积极发展自己的存储芯片产业。
数据来源：IC Insights
当前全球存储芯片主要为韩美日三国所占有，全球存储芯片老大无疑是三星，其在NAND flash和DRAM市场均占据优势的市场份额，而按国家来说韩国是全球存储芯片的龙头，拥有三星和SK海力士两大存储芯片企业。
存储芯片主要有NAND flash、DRAM，在全球NAND flash市场份额前五名分别为三星、东芝、西部数据、美光、SK海力士，市场份额分别为38.0%、17.1%、16.1%、11.5%、11.1%；在DRAM市场份额前三名分别为三星、SK海力士、美光，市场份额分别为45%、28%、21%。
中国三大存储芯片企业
长江存储、合肥长鑫、福建晋华正在奋起直追，纷纷开始布局，投产存储芯片，这将有望打破韩美日垄断存储芯片的局面。
在之前国内按集成电路产业的分类，全国的产业格局呈现“三超多强”。即北京、上海、深圳为“三超”，苏州、无锡、成都、西安、武汉为“多强”。上述人士回忆，当时北上深依托“中芯国际”和“海思”成为三强。而无锡、上海一带则有908、902工程作依托，成都有封测产业，西安还有三星的制造业基地，武汉则凭借着武汉新芯成为多强之一。
国内的内存还是闪存产品在国际竞争格局上，基本均被韩国、日本、美国等国垄断。其中在DRAM领域，三星、海力士及美光（它于2012年兼并日本的尔必达）为行业龙头，在NAND领域，也由三星、东芝、新帝，海力士以及美光、英特尔共同掌握全球话语权。
反观国内，企业在存储领域既没有技术优势，也没有生产规模，每年进口的芯片金额高达2500亿美元，在主流与DRAM和NAND Flash芯片的制造上是零。“在存储器产业中，韩美日厂商几乎垄断了全球存储器市场。”上述人士也表示无奈。
现在长江存储、合肥长鑫、福建晋华担起了这个重任，共同发力，长江存储主要发展NAND flash，合肥长鑫和福建晋华主要发展DRAM，三家企业在去年底实现了厂房封顶，近期开始陆续搬入机台等生产设备，按计划它们今年下半年将开始试产存储芯片。
当然中国的存储芯片企业在投产后还需要在技术方面追赶韩美日等存储芯片企业，长江存储当下准备投产的为32层NAND flash而韩国三星去年就开始大规模投产64层NAND flash，长江存储希望在未来两三年实现64层NAND flash的技术突破，把技术差距尽量缩短到两年以内来。
合肥长鑫、福建晋华两家公司计划将要投产DRAM，韩国三星当下已开始采用18nm工艺生产DRAM，并正研发更先进的生产工艺，合肥长鑫和福建晋华在投产后预计在工艺方面较这些存储芯片巨头还有较大差距，在正式投产后还将面临着良率问题等，需要时间。
值得惊喜的关注，北京兆易创新公司，他们在DRAM技术上取得了突破，其也与合肥市产业投资控股集团达成了合作协议，计划投资180亿元，采用19nm工艺生产来存储芯片，预计今年底前将投入生产，不过它产品良率不高，表示今年计划达到10%，这说明了生产存储芯片是面临着很多的技术难题，只是良率方面就是一座大山难以跨越。
对于中国庞大的制造业，即使是中国存储芯片企业他们在初期在技术方面步伐有些落后，但是我国对低端存储芯片依然有强烈需求，这为中国存储芯片企业提供了发展的沃土，它们终将赶上韩美日存储芯片企业，许多产业都是从低端做起，从无到有，从有再到强，然后慢慢达到世界水平。相信我们的芯片产业很快也会迎来春天。
长江存储（非上市公司）
长江存储科技有限责任公司（“长江存储”）于2016年7月在中国武汉成立，是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。长江存储为全球工商业客户提供存储器产品，广泛应用于移动设备、计算机、数据中心和消费电子产品等领域。
2017年，长江存储在全资子公司武汉新芯12英寸集成电路制造工厂的基础上，通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计并制造了中国首批3D NAND闪存芯片。长江存储在武汉、上海、北京等地设有研发中心，通过不懈努力和技术创新，致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。
2019年9月2日，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”） 开始量产基于Xtacking 架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2017年7月，32层3D NAND 芯片T/O（设计完成）
2017年11月，32层3D NAND 芯片完成首次验证
2017年9月，国家存储器基地项目一期工程提前封顶
2016年12月，国家存储器基地项目正式开工建设
2016年7月，长江存储有限责任公司成立
2016年7月，32层3D NAND 测试芯片T/O（设计完成）
2015年6月，9层3D NAND测试芯片通过电器性能验证
2014年10月，3D NAND项目在武汉新芯启动
合肥长鑫
2016年5月，长鑫存储技术有限公司于“创新之都”——安徽·合肥成立。长鑫存储致力于成为全球领先的半导体IDM企业，不断引进先进的半导体设施，并研发行业顶尖技术。
福建晋华
