UFS（通用闪存，Universal Flash Storage）其更快速的传输速度被市场认为是eMMC的继承者。2016年JEDEC发布了UFS 2.1的通用闪存标准，与UFS 2.0相比，UFS 2.1并没有定义新的速度，仍为标准的HS-G2和可选HS-G3，并增加了设备健康、性能优化、固件升级、安全写入保护等功能。
UFS在不同的接口协议规范下其传输速度也大不相同，UFS HS-G2（High Speed Gear 2）单通道（1Lane）最高读写速度为2.9Gbps，双通道（2Lane）最高读写速度为5.8Gbps，相当于SSD SATA 3.0接口的传输速度。UFS HS-G3 1Lane最高读写速度为5.8Gbps，2Lane最高读写速度为11.6Gbps。UFS2.0采用HS-G2 1Lane读写速度由于与eMMC5.1（400MB/s）相比没有明显的优势，HS-G2 2Lane接口协议速度约eMMC5.1的2倍，便成为了主流配置，实现速度的升级。
2017年UFS 2.0向UFS 2.1规范提升，HS-G2 2Lane已无法满足对速度提升的需求，因此更高传速度的HS-G3 2Lane，即最高传输速度11.6Gbps成为三星、东芝、SK海力士、美光等UFS2.1主流配置。
今日（1月31日）上午消息，固态技术协会（JEDEC）发布了Universal Flash Storage (UFS，通用闪存存储) v3.0标准（JESD220D、JESD223D），和UFS存储卡v1.1标准（JESD220-2A）。简单来说，UFS 3.0引入了HS-G4规范，单通道带宽提升到11.6Gbps，是HS-G3（UFS 2.1）性能的2倍。
由于UFS的最大优势就是双通道双向读写，所以接口带宽最高23.2Gbps，也就是2.9GB/s。
互联层设计方面，严格遵守MIPI（移动产业处理器接口）的规范协议，其中物理层依据MIPI M-PHY v4.1，传输层依据MIPI UniProSM v1.8。
其它方面，UFS 3.0支持的分区增多（UFS 2.1是8个），纠错性能提升，电压2.5V，支持最新的NAND Flash闪存介质。面向工业领域如汽车自动驾驶，工作温度零下40摄氏度到高温105摄氏度。
至于UFSHCI v3.0规范则面向主控厂商参考，用于简化通行设计。
至于UFS存储卡v1.1，则实现了对HS-Gear1/2/3的全部兼容，这样存储速度就达到最高1.5GB/s。
另外，三星已经宣布，将在2018年第一季首发推出UFS 3.0接口的产品。由于骁龙845、Exynos 9810等尚无证据支持UFS 3.0接口，所以是否对应Galaxy S9终端或者仅仅是主控、闪存这类零部件，暂不得而知。