三星终于宣布开始大规模生产其第五代V-NAND存储芯片，声称其堆叠层数超过90层，可能指的是其96层，制造生产率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可拥有更高的传输速度。
另外，三星新的V-NAND效能与64层3D NAND相当，主要是因为其工作电压从1.8V降低至1.2V，而且更快的数据读写速度，较上一代提高30%。三星新技术推出的256Gb V-NAND数据存储速度达到1.4Gbps，相较于64层3D NAND提高40%。
三星Flash产品和技术执行副总裁Kye Hyun Kyung表示，三星第五代V-NAND堆叠层数在90层以上，将加快提供先进的第五代V-NAND产品解决方案满足快速增长的市场。
三星还将推出容量高达1Tb和QLC V-NAND，将继续推动下一代存储解决方案的发展。三星将迅速扩大第五代V-NAND生产，以满足广泛的市场需求，因为先进的技术将推动高存储密度在智能型手机、超级计算机、企业服务器等市场应用。
除了三星，东芝和西部数据早在2017年7月就宣称已经成功开发出96层3D NAND和QLC技术，若采用QLC架构单颗Die容量可以达到1Tb。2018年东芝和西部数据加码投资Fab6工厂生产所需的设备，用于量产96层3D NAND，计划在下半年开始量产。继东芝和西部数据之后，美光和英特尔宣布量产64层3D NAND，由于基于QLC架构，所以单颗Die容量可以达到1Tb，同时开始给合作伙伴送样96层3D NAND。
在原厂技术快速发展下，2018年64层3D NAND已是主流技术，容量256Gb、512Gb，广泛用于SSD产品中，随着技术的进一步发展，且主控厂Marvell、慧荣、群联等纷纷针对QLC和96层3D NAND技术进行控制芯片的调整，预计2019年96层将成为各家原厂的主流技术，且推动1Tb容量快速在市场上应用，迎来大容量需求爆发。