随着技术的发展，今年台积电、三星及Globalfoundries等公司都会量产7nm工艺，下一代将在2020年进入5nm工艺，2022年进入3nm工艺。目前第一代7nm工艺将使用传统的DUV光刻工艺，预计到5nm工艺将会上EUV光刻工艺。
NAND Flash发展到1znm(10nm级)便无法向下发展，或者即使向下走也不能带来更好的成本效益，所以Flash原厂纷纷向3D NAND技术发展，并已快速完成了技术的转变，2019年向96层3D NAND发展。DRAM也会面临技术瓶颈的难题，但在美光看来，他们正在交由客户验证新一代1Ynm工艺DRAM芯片，未来还有1Z、1α及1β工艺。
目前DRAM主流的还是20nm、18nm工艺，其中18nm就属于1Xnm节点（16nm-19nm之间），1Ynm则代表的是14nm-16nm之间，1Z大概是12nm到14nm。再之后，美光提出的是1α及1β工艺，具体工艺暂不可知。
三星是第一家量产18nm工艺的DRAM，也就是第一个进入1Xnm节点的，遥遥领先其他公司，美光现在也开始向1Xnm工艺转进，下一代的1Ynm工艺已经进入客户验证阶段了，今年下半年问世，1Znm工艺节点在处于工艺优化阶段，1α及1β工艺则是在不同研发阶段。
美光CEO Sanjay Mehrotra曾表示，在EUV光刻工艺上，他认为EUV光刻机在DRAM芯片制造上不是必须的，至少在1α及1β工艺之前不会用到它。
早前ASML提到过DRAM在进入1Ynm节点时就需要考虑EUV工艺了，实际上并没有，包括三星在内的三大DRAM巨头都没有很快使用EUV的打算，预计到1znm才会考虑，也就是在10nm级左右。不过，美光认为1α及1β工艺上依然都不需要EUV光刻工艺。