圣诞节就要来了，存储半导体市场也是非常精彩，一起看一下上周存储市场的大事件。
东芝宣布将新建闪存工厂
12月21日，东芝宣布，将斥资70亿日元（约合6175万美元）在日本岩手县购买土地，为后续建设闪存工厂做准备。
东芝表示，该计划将于明年2月在北上市开始着手筹备土地事宜，并计划在下周一（12月25日）成立东芝存储岩手株式会社（Toshiba Memory Iwate Corp.），该公司隶属于东芝存储公司（Toshiba Memory）。
此外，有消息称，未来东芝以及其他的日本公司和机构还将继续增加对东芝存储公司的投资，东芝仍将持有一定比例的股权。
贝恩资本的高管也曾表示，待完成收购东芝存储芯片业务后，还将继续投资东芝存储公司以帮助其完成产能扩建计划，资金将达到数十亿美元。
事实上，尽管东芝芯片业务180亿美元出售给美日联盟的交易尚未完成，但这并不影响东芝对存储芯片业务的持续投资。
除了最新公布的建厂计划之外，目前还在日本三重县四日市建设一座闪存芯片工厂，计划在明年年底前完工投产。
35亿芯片封测“双子项目”落户合肥
COF封装技术是半导体显示芯片的主流封装技术之一，COF卷带则是COF封装环节的关键材料。
而对于已经吸引了晶合晶圆制造、新汇成金凸块封装测试等集成电路企业的合肥而言，COF卷带显得尤为重要。
尴尬的是，中国大陆COF卷带却长期被韩国、日本、以及中国台湾企业所垄断，不过，这一局面未来有望被合肥所打破。
12月21日，北京芯动能投资管理有限公司、北京奕斯伟科技有限公司、台湾颀邦科技股份有限公司、合肥市建投集团、以及合肥新站高新区在合肥签署了“双子项目”战略合作协议。
图片来源：合肥新站区
此次五方强强合作，不仅将在合肥新站高新区设立大陆最大的半导体显示芯片封测公司总部，同时还将在合肥综合保税区内打造大陆最大的半导体显示芯片封装COF卷带生产基地。
据悉，“双子项目”总投资约35亿元，预计该基地投产后，年销售收入将达到12亿元，创造就业岗位1000余个。
士兰微与厦门签署半导体项目投资协议
继通富微电子项目后，厦门集成电路产业再次迎来重大进展。
12月18日，士兰微电子与厦门半导体投资集团分别签署了《关于12英寸集成电路制造生产线项目之投资合作协议》以及《关于化合物半导体项目之投资合作协议》。
此外，双方还将设立12英寸芯片项目公司和化合物半导体项目公司，士兰微分别出资3亿元（15%）和2.4亿元（30%）。
12英寸芯片项目公司股权结构
化合物半导体项目公司股权结构
按照协议，双方拟合作建设两条12英寸90~65nm 特色工艺晶圆生产线及一条4/6英寸兼容先进化合物半导体生产线，总投资额达220亿元。
其中170亿元用于两条12英寸特色工艺晶圆生产线的建设，50亿元用于投资先进化合物半导体生产线项目。
据悉，第一条12英寸特色工艺晶圆生产线共投资70亿元，工艺线宽90nm，预计达产规模8万片/月，分两期进行，其中第一期由双方成立的项目公司为项目主体负责实施；第二条生产线初步概算总投资约100亿元，工艺线宽65nm--90nm。
至于先进化合物半导体项目，总投资50亿元，同样分两期进行，一期投资20亿元，二期投资30亿元，项目主体由双方成立的项目公司负责。
传SK海力士将在中国设立合资公司
2017年以来，韩国第二大存储芯片厂商在继续发力存储芯片市场的同时也在积极抢进晶圆代工市场。
为此，SK海力士于今年7月正式宣布，分拆晶圆代工业务为独立公司，并命名为SK海力士系统IC公司（System IC）。
最新消息是，为专注晶圆代工业务，SK海力士计划在中国设立一家新的代工合资工厂，其中System IC将持有合资公司50%的股权，未来将主要负责为无半导体制造工厂的公司制造芯片。
据朝鲜日报网报道，SK海力士在中国设立的新代工合资公司将位于江苏无锡SK海力士DRAM工厂园区内。
SK海力士也于12月20日召开的董事会上通过了向System IC出资7000万美元的议案。
有业内人士认为，SK海力士在中国成立的合资公司总投资规模将达到数千亿韩元，而7000万美元则是SK海力士System IC在中国推进合资公司的初期援助资金。
2016年，SK海力士在晶圆代工领域的销售额仅为1.4亿美元，位列全球第24位（0.2%），不过随着其在该领域投资力度的加大，未来在晶圆代工领域的市场份额也将有望获得提升。
三星开发出全球最小DRAM内存芯片
自2016年下半年以来，全球DRAM产品价格居高不下，有消息称，主要是因为三星和美光此前在导入10纳米制程等级时因为产品瑕疵而被召回，使得全球DRAM市场一直处于供给吃紧的情况。
不过最近，三星已经突破了DRAM产能扩展的主要障碍，并且开始量产第二代10纳米级制程工艺内存芯片，具体产品为新的8Gb DDR4 DRAM芯片，而该芯片也是目前“全球最小”的DRAM芯片。
与第一代10纳米等级工艺相比，第二代10纳米等级工艺产品无论是在产能、性能、还是功耗等方面都有了大幅提升。
按照三星官方的说法，第二代10纳米级芯片比第一代产能提高30%，性能提高了10%，功耗则降低了15%。
此外，新的8Gb DDR4每个引脚可以以每秒3600 Mbps的速度运行，比第一代10纳米级制程的8Gb DDR4 DRAM的3200 Mbps速度提升了超过10%。
三星表示，到2018年，将把现有的大部分DRAM芯片产能转移到10纳米级芯片上。