结合现有存储单元和先进的 CMOS 技术，写入性能提升 61%，读取性能提升 12%，写入作期间能效提升 36%，读取作时能效提升 27%
铠侠美国公司宣布已开始样品出货 （1） 采用其第 9 代 BiCS FLASH 3D 闪存技术 的 512Gb 三级单元 （TLC） 存储设备。
计划于2025财年开始量产。这些器件旨在支持在中低级存储容量中需要高性能和能效的应用。它们还将集成到公司的企业级 SSD 中，特别是那些旨在最大限度地提高 AI 系统中 GPU 效率的 SSD。
铠侠继续奉行双轴战略，以满足尖端应用的多样化需求，同时提供具有竞争力的产品，提供最佳的投资效率。
这 2 个轴是：
- 第9代BiCS FLASH产品：这些产品通过利用CBA（CMOS直接键合到阵列）技术（2）将现有存储单元技术（3）与最新的CMOS技术集成在一起，以更低的生产成本实现高性能。
- 第 10 代 BiCS FLASH 产品：这些产品扩展了内存层数，以满足未来对更大容量、高性能解决方案的预期需求。
新的第 9 代 BiCS FLASH 512Gb TLC 采用基于第 120 代 BiCS FLASH 技术和先进 CMOS 技术的 5 层堆叠工艺开发，与公司现有具有相同 512Gb 容量的 BiCS FLASH 产品 （4） 相比，性能显着提高。
这些包括：
- 写入性能：提高 61%
- 读取性能：提高 12%
- 电源效率：写入作时提高 36%，读取作时提高 27%
- 数据传输速度：Toggle DDR6.0 接口可实现高速 3.6Gb/s （5） NAND 接口性能
- 位密度：通过平面缩放的进步提高了 8%
此外，该公司还确认 512Gb TLC 在演示条件下以高达 4.8Gb/s （5） 的 NAND 接口速度运行。产品阵容将根据市场需求确定。
铠侠致力于加强其全球合作伙伴关系并追求进一步创新，以继续提供满足客户多样化需求的最佳解决方案。
（1） 这些样品用于功能检查，样品的规格在批量生产中可能会有所不同。
（2） 每个CMOS晶圆和电池阵列晶圆在其优化条件下分别制造，然后键合在一起的技术。
（3） 112层第5代BiCS FLASH和218层第8代BiCS FLASH技术。新的第 9 代 BiCS FLASH 产品系列将包含其中之一，具体取决于型号。
（4） 第 6 代 BiCS 闪存，它部署了与该产品相同的 512Gb TLC 产品。
（5） 1Gb/s 按 1,000,000,000bits/秒计算。该值是在铠侠的特定测试环境中获得的，可能会因使用条件而异。