东芝公司今天宣布，该公司已经开始提供非易失性存储器芯片（BICS）的样品，其中含有48层，每个cell当中包含2 bits，每个芯片容量16GB。新闻稿当中没有详细说明BICS闪存制造工艺，但值得注意的是，东芝堆叠层数多于同行其他厂商。三星和IMFT，英特尔与美光合资闪存企业，都使用32层的设计。三星目前实现在每个芯片当中提供10.8GB的MLC配置，而IMFT跃跃欲试，将于今年晚些时候出现推出32GB存储容量的3D闪存芯片。
BICS闪存主要面向固态硬盘，东芝表示其中的3D结构可以提高写入可靠性/擦除次数，并提升读写速度。东芝预计年内不会开始批量出货这种3D闪存芯片，大规模出货要到2016上半年，该公司正在与SanDisk合作，建设一个新工厂专门生产3D闪存芯片。
