固态硬盘在笔记本和台式电脑上的发展速度令人乍舌，容量大的智能手机成为人们换机的最主要理由之一，也连带闪存技术快速推进。
苹果供应商海力士（SK Hynix）今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存，一片封装完成的闪存芯片的最高容量将达到512GB，只需要两颗芯片，就能造出单面1T、双面2T的M.2 SSD，且成本更低。
这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍，读写性能快 20%。
如不出意外的话，SK海力士在Q4将把单晶片容量做到翻番。
海力士自从2016年11月开始生产 48 层 256Gb 3D NAND 芯片，之前的 36 层 128Gb 3D NAND 芯片在2016年4月开始生产。因为层数更多，利用现有的生产线，产能可以提升 30%。海力士将在今年下半年开始量产。
由此，SK海力士成为业界第一，领先三星和东芝的64层。
另外，除了SSD，SK海力士称，相关芯片也会用于智能手机。
iPhone 7 和 iPhone 7 Plus 配备的 NAND 闪存颗粒就来自东芝和海力士。一些 iPhone 7 采用东芝 48 层 3D BiCS NAND 芯片，这种芯片之前从未出现在其他商业产品中。其他 iPhone 7 型号采用海力士闪存芯片。
32GB iPhone 7 比 128 GB 型号更慢，前者的数据读取速度为 656 Mbps，后者为 856Mbps。不妨猜一猜，哪款手机能够率先突破512GB容量呢？
根据Gartner的统计，SK海力士是DRAM世界第二、闪存世界第五，他们已经向东芝报价，希望拿下后者欲出售的闪存业务。