华邦电子已从W25NxxxJW开始为QSPI NAND闪存增加了顺序读取功能。
该公司表示：“在连续读取模式下，这些产品在104MHz时可达到与连续读取模式相同的52Mbyte / s的最大数据速率，但是具有配置芯片操作的新灵活性。”
现在的主要选项是：
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错误校正：在连续读取中，Winbond W25N设备仅支持片上1位ECC引擎，而在顺序读取模式下，采用者可以使用外部ECC引擎来实现4、8位或任何其他长度的错误校正。
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Winbond说，主存储区和备用存储区都可以通过单个读取命令访问，“这对于低延迟和快速启动时间尤为重要的代码影子应用程序非常理想”
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更大的灵活性来配置数据安排
1.8V版本的存储器可提供512Mbit，1Gbit或2Gbit。3.0V版本提供2Gbit和4Gbit。所有设备都执行片上坏块管理并支持OTP区域。
104MHz的时钟速度允许使用快速读取双/四IO指令获得416MHz（104MHz x 4）的四IO性能。
工业版本的工作温度范围为-40°C至+ 85°C，“工业级”和汽车类型的工作温度范围为-40°C至+ 105°C。
这些部件在台湾台中以46nm工艺制造，并采用8引脚封装：WSON8（6 x 8mm），WSON8（5 x 6mm），TFBGA24（6 x 8mm）或已知的优质管芯。
访问时间
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启用ECC时读取50µs页面
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250µs（典型值）页面程序
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2ms（典型值）块擦除
Quad SPI NAND接口与Quad SPI NOR闪存共享相同的6pin信号和QSPI命令集。