全新XTREMFlash记忆体
向传统NOR闪存技术说再见吧，美光技术公司在最近的一份声明当中指出。该公司的全新XTREMFlash记忆体拥有高达每秒3.2 Gb的强大速度表现，而且能够兼容目前所广泛使用的串行NOR闪存接口。
美光的全新XTREM（即extreme，终极之意）NOR闪存方案，宣称能够在性能表现上压倒除超大规模NAND闪存阵列之外的全部闪存存储方案类型（这些方案的速度表现完全不足以承载实时即时应用）。
“并行闪存方案的好日子已经过去了，”美光公司嵌入式业务部门NOR闪存主管Richard De Caro在接受采访时强调称。“美光公司的全新XTREMFlash将在未来几年当中一举取代并行与串行闪存产品——它们将只能在某些低密度应用领域继续发挥作用。”
“美光公司将拥有一套从128 Gb到2 Gb的完整产品线。而作为首款型号，512 Mb产品即将进入批量生产并于2016年年初投放市场。”
美光方面目前已经得到了Freescale以及六家其它大型芯片制造商的支持。各XTRMFlash产品的推出也符合Databeans最近做出的预测，即汽车电子类半导体产品市场总值将从今年的285亿美元增长至2020年的400亿美元，其中大部分体现为与NOR闪存紧密相关的GPS、卫星广播、车辆间通讯以及车载信息娱乐系统等。
美光公司宣称其新方案在数据传输速度与延迟水平方面碾压其它全部闪存类型。
XTRMFlash将提供并行、串行以及Quad-SPI型NOR闪存产品，De Caro表示，且其针脚数量较现有并行NOR闪存将下降75%。这项技术在随时访问方面亦拥有83纳秒左右的速度表现，而连续读取速度更将快至2.5纳秒水平，每秒数据传输能力为400 MB（高于串行以及并行闪存），而且继续兼容目前串行NOR闪存所普遍使用的Quad SPI闪存针脚设计。XTRMFlash能够以针脚兼容形式运行，而且只需对电路板稍加调整即可达成上述性能参数。
美光公司宣称其XTREM（即extreme）NOR闪存能够填补市场对于并行与串行闪存的大部分需求。
美光公司最近针对车辆之上的高人气“即时”应用进行了XTRMFlash记忆体性能测试，其在工业与消费级两个角度皆能够顺利实现人机接口、图形用户界面（简称GUI）、仪表盘、信息系统以及高级驾驶辅助系统（简称ADAS）等功能，De Caro介绍称。
XTRMFlash产品家族能够满足普通消费者、工业以及车辆产品对温度环境以及认证授权方面的要求。
一如既往，美光的这款新型NOR闪存将被用于承载即时应用程序，且已经被Freescale、NXP、ST、德州仪器（简称TI）、东芝以及其它一些厂商以样品方式进行试用，其全面量产计划在2016年上半年中期开始。