半导体新闻网消息，近日有消息称长鑫存储正式启动上市辅导。
长鑫存储是一家一体化存储器制造公司，专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售。创立于2016年，长鑫存储总部位于安徽合肥，在国内外拥有多个研发中心和分支机构。长鑫存储的技术团队拥有丰富的技术研发经验和创新能力，已推出多款DRAM商用产品，广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。
这家估值高达1400亿元的国产存储巨头，背后站着兆易创新这样的战略伙伴。
2025年，兆易创新计划向长鑫存储采购价值11.61亿元的DRAM代工服务，因为兆易创新的DDR4产品在电视、工业领域需求激增，需要长鑫的产能支撑。
而兆易创新的实控人朱一明，同时担任着长鑫存储的董事长。
长鑫存储的上市，牵动着三家A股公司的股权价值。 兆易创新直接持有长鑫存储约0.95%的股份，在2024年3月增资时，其持股比例曾达到1.88%。
除了资本纽带，两家公司的业务协同更为紧密：兆易创新的利基型DRAM芯片全部由长鑫存储独家代工，形成“设计-制造”的闭环。
朗迪集团通过宁波燕创德鑫创业投资基金间接持有长鑫存储股权。 公开信息显示，其间接持股比例约5.95%。
长鑫存储一旦上市，这笔投资的账面价值可能迎来显著增长。
合肥城建则因母公司合肥建投的深度参与而受益。
合肥建投不仅是长鑫存储的重要股东，还通过合肥清辉集电企业管理合伙企业直接持股21.67%，成为长鑫第一大股东。 这种地方国资与产业龙头绑定的模式，让合肥城建存在明确的资本运作预期。
长鑫存储的崛起，带动了国产半导体设备商的突破。 北方华创的12英寸TSV刻蚀机已批量应用于长鑫生产线，支持5纳米以下先进制程，在长鑫产线的市占率超过50%。
其薄膜沉积设备同样进入长鑫供应链，覆盖芯片制造的关键环节。
中微公司的深孔刻蚀设备能实现50：1以上的深宽比，专门用于长鑫存储的HBM芯片堆叠技术开发。
双方还合作推进3D NAND存储技术的研发，为国产存储向更高密度结构升级提供支持。
华海清科作为国内唯一能量产化学机械抛光（CMP）设备的厂商，其12英寸抛光设备已导入长鑫产线，用于晶圆表面平整化处理。
拓荆科技的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备则批量用于长鑫芯片的绝缘薄膜沉积环节，适配DDR5和LPDDR5等新一代内存芯片的生产。
在材料领域，雅克科技向长鑫供应高纯度硅前驱体和金属前驱体，覆盖17纳米DDR5及LPDDR5产线。
其产品是DRAM芯片制造中的关键耗材，还参与了长鑫HBM堆叠材料的研发项目。
安集科技的化学机械抛光液打破了国际厂商垄断，适配长鑫存储的先进工艺，应用于芯片制造的抛光环节。
彤程新材的光刻胶树脂则通过技术认证，用于长鑫的DRAM光刻制程。
封测环节的深科技，通过孙公司沛顿科技承接了长鑫存储约60%的封测需求，成为其最大的委外封测供应商。
沛顿专门处理17纳米及以下先进制程芯片的封装测试及模组生产，与长鑫工厂地理位置相邻，形成高效协同。
长电科技凭借XDFOI先进封装技术，为长鑫提供DRAM模组封装服务，尤其在高带宽内存（HBM）封装领域有技术储备。
通富微电则与长鑫合作开发HBM2芯片样品，其硅通孔密度达到每平方厘米10的6次方个，布局2.5D封装产线。
分销网络中，商络电子是长鑫存储前五大代理商之一，将长鑫的存储芯片分销至新能源汽车、工业控制等领域。
力源信息、中电港同样拥有长鑫产品的代理资质，覆盖消费电子、服务器等客户渠道。
厂房建设方面，柏诚股份长期参与长鑫存储的洁净室工程建设，直接受益于其产能扩张计划。
太极实业则以总包方身份承接长鑫合肥新厂项目，2025年签约金额超过10亿元。
2025年第一季度，长鑫存储的月产能达到20万片晶圆，相比2024年同期翻倍。
市场研究机构Counterpoint预测，其全年DRAM出货量将同比增长50%，市场份额从第一季度的6%提升至第四季度的8%。
在技术迭代上，长鑫存储的LPDDR5芯片已实现小批量供货。 该芯片单一颗粒容量达12Gb，速率6400Mbps，比上一代性能提升50%，功耗降低30%。
其DDR5市场份额预计从年初的不到1%上升至年底的7%，LPDDR5份额则从0.5%跃升至9%。
2025年第三季度，消费级DDR4内存价格预计环比增长40%至45%。
这一行情与国际厂商减产有关——三星、SK海力士等巨头将产能转向高端产品，逐步淘汰DDR4生产线，导致市场供应紧张。