中存储10月20日消息，存储大厂Micron（美光科技股份有限公司）宣布已将业界领先的1β（1-beta）制程技术应用于16Gb容量版本的 DDR5内存。美光1β DDR5 DRAM在系统内的速率高达7,200 MT/s，现已面向数据中心及PC市场的所有客户出货。基于1β节点的美光DDR5内存采用先进的High-K CMOS器件工艺、四相时钟和时钟同步技术，相比上一代产品，性能提升高达50%，每瓦性能提升33%。
随着CPU内核数量的不断增加以满足数据中心工作负载需求，系统对更高的内存带宽与容量的需求也显著增长，从而在应对“内存墙”挑战的同时优化客户的总体拥有成本。美光1β DDR5 DRAM支持计算能力向更高的性能扩展，能支持数据中心和客户端平台上的人工智能（AI）训练和推理、生成式AI、数据分析和内存数据库（IMDB）等应用。全新1β DDR5 DRAM产品线提供速率从4,800 MT/s到7,200 MT/s的现有模块密度，能够满足数据中心和客户端的应用需求。
美光核心计算设计工程部门企业副总裁Brian Callaway表示：“面向客户端和数据中心平台的1β DDR5 DRAM量产及出货，标志着行业的一个重要里程碑。我们与生态系统合作伙伴及客户紧密合作，将推动高性能内存产品的市场普及。”
美光的1β技术已应用至公司广泛的内存解决方案，包括采用16Gb、24Gb和32Gb DRAM裸片的DDR5 RDIMM和MCRDIMM；采用16Gb和24Gb DRAM裸片的LPDDR5X；HBM3E和GDDR7。全新的美光16Gb DDR5内存将通过直销及渠道合作伙伴供货。
图片来源：美光官网
STREAM 基准测试：单插槽第三代 AMD EPYC CPU 7763（64 核）采用美光 DDR4 3200 MHz 系统，速度为 189 GB/秒;单插槽第四代 AMD EPYC CPU 9654（96 核）配备美光 DDR5 4800 MHz 系统，速度为 378 GB/秒;该结果基于美光奥斯汀实验室的测试。
美光通过精密的光刻和纳米制造挑战物理定律
美光业界首创的 1β 节点可在更小的占用空间内实现更高的内存容量，从而降低每比特数据的成本。DRAM扩展在很大程度上是由这种每平方毫米半导体面积提供更多和更快的内存的能力定义的，这需要缩小电路以在大约指甲盖大小的芯片上容纳数十亿个存储单元。对于每个工艺节点，半导体行业几十年来每隔一二十年就会缩小设备;然而，随着芯片变得越来越小，定义晶圆上的电路图案需要挑战物理定律。
虽然该行业已经开始转向使用极紫外光来克服这些技术挑战的新工具，但美光已经利用其经过验证的领先纳米制造和光刻能力来绕过这项仍在出现的技术。这样做涉及应用公司专有的、先进的多图案技术和浸入能力，以最高精度对这些微小的特征进行图案化。这种减少带来的更大容量还将使具有小尺寸的设备（如智能手机和物联网设备）能够在紧凑的占用空间中容纳更多内存。
为了在1β和1α上实现竞争优势，美光在过去几年中还积极推进其卓越制造、工程能力和开创性研发。这种加速的创新首先使美光的1α节点在竞争中领先一年，从而在公司历史上首次确立了美光在DRAM和NAND领域的领导地位。3多年来，美光进一步投资数十亿美元，将其晶圆厂转变为领先的、高度自动化的、可持续和人工智能驱动的设施.这包括对美光在日本广岛的工厂的投资，该工厂将在1β上批量生产DRAM。
美光DDR5内存的部件目录