3D Xpoint抛弃了在NAND芯片的核心-----晶体管。 NAND的工作原理是运动的电子来回在称为其“浮动栅”的晶体管来回跑到，来表示二进制代码的零与一。 这种技术的一个问题是，它不能在一个时间从新单个比特的数据。需要较大的信息块被擦拭，然后重写以合并更改。
英特尔与美光说3D Xpoint是全新的“主流”，完全颠覆在1989推出的的NAND闪存存储器。
这预示着一种比当前存储卡和计算机的SSD快1000倍以上的新记忆体出现。带来这次创新的是英特尔与美光发明的3D Xpoint。
这两家公司预测该技术会为未来更复杂的视频游戏带来更广泛的利益。
双方合作建立的地方
如果一切按计划进行，首批产品3D XPOINT（发音为cross-point），明年将上市销售。其价格尚未公布。
英特尔高调宣布其作为1989年以来第一个出现的新类型的“主流记忆”。
不仅仅作为替代闪存或RAM（随机存取存储器），该公司希望将使用它能让数据更“接近”处理器，以便它可以比以前更快速地存取。
为什么我们需要更快的存储？今天不仅仅手机和PC的闪存不够快，数据中心更需要更快的存储。
更快的存储对于云服务也有很大的帮助。
就像很炫的游戏一样，有时候会卡，那么采用3D XPOINT更快地加载数据，就不会出现这种情况。
3D XPOINT拥有“持续的记忆” - 这意味着断电时它保留了上存储的数据，不会像RAM一样不保留数据。
以下才是重点，为什么它有一个奇怪的名字？
事实上它指的是该技术是由各个传导的图层组成的三维架构
在每个层中，以直角的方式与下面的层进行平行的运行。
在层与层之间是垂直亚显微列，其连接点处传导线纵横交错
每个列的包括：
一个“存储单元”，它可以存储一个比特的数据。这表示二进制中的一或零
> 一个“选择器”，它允许一个特定的存储单元读取或重写。访问是通过改变它经由导线接收电压的量来控制。
那么，闪存中的一大优势是什么？
3D Xpoint抛弃了在NAND芯片的核心-----晶体管。
NAND的工作原理是运动的电子来回在称为其“浮动栅”的晶体管来回跑到，来表示二进制代码的零与一。
这种技术的一个问题是，它不能在一个时间从新单个比特的数据。需要较大的信息块被擦拭，然后重写以合并更改。
英特尔公司资深副总裁兼非易失性存储器（NVM）解决方案事业部总经理Rob Crooke说，“这就像你要在停车场移动一辆车，你需要所有的车都移走，然后你的车走开，再把别的车都移动回来。”
与此相反，3D Xpoint工作原理是通过改变构成其存储单元来实现，具有高抗电来表示1或低电阻来代表0的材料的性质。
优点在于，每个存储单元可以被单独寻址，快速切换选择器、低延迟交叉点阵列和快速写入算法。
一个附加的好处是，耐用性大大成百上千倍的提升。
3D Xpoint速度比NAND快1000倍，但是更便宜
听起来不错，所以是闪存存储将成为过时了吗？
英特尔给出的建议是不会。
固态硬盘SSD甚至更慢的硬盘 - 在未来的一段时间仍将比3D XPOINT显著便宜，所以是继续使用它们来存储大多数文件。
该建议是作为一个新技术替代旧技术的一个中间步骤。
DRAM芯片仍比3D XPOINT快，但不同的是，3D XPOINT远远小于DRAM
如果3D XPOINT是如此之快，为什么不直接用它来完全取代RAM？
额，其实还是没有RAM快。所以还是不能完全替代。
最后，我们边走边看吧。
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