东芝和海力士（Hynix）宣布一条划时代的信息：正式在MRAM（Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory，自旋扭矩转换磁性抵抗型随机存储器）技术领域进行合作。
MRAM打破现在的DRAM存储介质，通过磁致电阻的变化来表示0和1，这是新一代存储数据的不挥发性内存介质。在性能方面，比起DRAM，具有省电、使用寿命长、存储密度大和速度快等特点，同时在断电后不会丢失任何数据。
MRAM与SRAM、DRAM、Flash、FeRam比较
IBM，TDK和东芝公司在存储介质领域一直扮演先行者的角色，这次的合作，东芝和海力士可谓是在半导体方面的未雨绸缪，及早开展了新一代存储介质的行动。
此次合作，将两家公司的研究人员集中在Hynix设在韩国利川的研究部门，共同开发MRAM，加速实现MRAM技术产品化的目标。
最初的研究方向为将NAND闪存和MRAM组成混合存储系统，开发NAND相关新的应用。逐步实现在硬盘和PC内存方面应用MRAM技术，以及研发相应的产品。
这两家公司虽然没有透露具体的产品路线图，但已在产品制造等方面达成合作协议。