SK海力士, 韩国利川, 和威斯康星州 Alumni Research Foundation， 麦迪逊，WI，, 已获得由 Kim、Younghyun、Lee、Yongwoo、Park、Jaehyun、Madison、WI 和 ) Ryu， Junhee， Seoul 开发的专利 （11768617）韩国，为“闪存存储和存储系统的M分析方法.“
美国专利商标局公布的专利摘要指出：“闪存存储的管理方法包括：将闪存存储内的多个块分类为精确块和不精确块，并将排序后的块作为多个空闲块池进行管理。管理包括执行垃圾回收和磨损均衡，磨损均衡基于 CEW（累积有效磨损）执行，CEW 表示通过对特定块执行多个操作引起的累积单元损伤。存储系统包括一个存储器阵列和一个存储器控制器，该存储器控制器根据错误率对存储器阵列的多个块进行排序，当存储在块中的数据被擦除时，分别施加与错误率相对应的擦除电压，控制每个擦除电压的值从标准电压缩小。 并在一个或多个模块上执行增量步进脉冲编程。
1.一种用于闪存存储的管理方法，该方法包括：
将闪存内的多个块分类为精确块和不精确块;和
将排序的块作为多个可用块池进行管理，
其中，管理包括执行垃圾回收和磨损均衡，以及
其中，磨损均衡是基于CEW（Cumulative Effective Wearing）执行的，CEW表示通过对特定块执行多个操作而引起的累积电池损伤，
其中，多个自由块池分别对应于多个容错级别，并且从满足容错要求的相应自由块池中选择一个自由块。
该专利申请于2021-07-02 （17/367026）提交。
相关链接：https://ppubs.uspto.gov/pubwebapp/external.html?q=11768617.pn.&db=USPAT