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SK海力士2017年规划:10nm级存储器制程与72层3D TLC NAND

2017-02-04 10:31:51 来源:中存储

预计公布2016财报的SK海力士在近日于官方部落格释出2017年规划。

SK海力士从2015年底开始使用21nm制程生产DRAM,而目前这个制程已经在主流产品、移动终端用产品以及特规的DRAM上导入。

不过,这家韩系品牌将会在2017年量产10nmclass制程的DRAM。

其他品牌或许也如此,这也意味着在2017年的存储器价格将持续攀高,然而这产业就如同期货般,没人说得准。

不过,一切顺利的话,SK海力士整体产能将会伴随着M14厂商而获得显著改善。