半导体联盟消息，继2019年9月宣布量产8Gb DDR4后，长鑫存储DDR4内存芯片产品日前已在官方网站上线，包括DDR4内存芯片、LPDDR4X内存芯片、DDR4模组等，并公布了具体产品资料。
据官网介绍，DDR4内存芯片是首颗国产DDR4内存芯片，是第四代双倍速率同步动态随机存储器。相较于上一代DDR3内存芯片，DDR4内存芯片拥有更快的数据传输速率、更稳定的性能和更低的能耗。长鑫存储自主研发的DDR4内存芯片满足市场主流需求，可应用于PC、笔记本电脑、服务器、消费电子类产品等领域。
产品资料显示，长鑫存储DDR4内存芯片单颗容量8Gb，2666 Mbps速率，工作电压1.2V，工作温度0 °C ~ 95 °C ，78 - ball FBGA与96 - ball FBGA两种封装规格。长鑫存储称该产品特点包括高速数据传输、多领域应用支持、多产品组合、可靠性保障等。
LPDDR4X内存芯片为第四代超低功耗双倍速率同步动态随机存储器, 采用了LVSTL的低功耗接口及多项降低功耗的设计。在高速传输上，LPDDR4X内存芯片相较于第三代有着更优越出色的低耗表现，服务于性能更高、功耗更低的移动设备。参数方面，长鑫存储LPDDR4X内存芯片有2GB和4GB两种容量，3733Mbps速率，工作电压1.8V/1.1V/0.6V，工作温度-30 °C ~ 85 °C，采用200ball FBGA封装。
DDR4模组是第四代高速模组，相较于DDR3模组，性能和带宽显著提升，最高速率可达3200Mbps。长鑫存储表示，DDR4模组由其自主开发设计、原厂内存颗粒，是目前内存市场主流产品，可服务于个人电脑和服务器等传统市场，以及人工智能和物联网等新兴市场。参数方面，DDR4模组容量8GB，2666 Mbps速率，工作电压1.2V，工作温度0 °C ~ 95 °C，260-pin SODIMM、288-pin SODIMM两种封装规格。
官网信息显示，长鑫存储上述产品已接受技术咨询和销售咨询。
2016年5月，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目启动建设，历经3年多时间，2019年9月长鑫存储正式宣布投产，与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。
封面图片来源：长鑫存储官网