中国正急于建立自己的记忆体业务，这一点当然毋庸置疑。不过到底要如何以及何时才能实现这一愿景却仍旧是个迹，日本的几位半导体行业知情人士在接受采访时指出。
中国国家集成电路产业投资基金拥有雄厚的财力，而这笔由地方政府主导的经济资源将被用于帮助中国的“记忆体梦”一步步成为现实。
不过抛开主观愿望，中国要想真正建立属于自己的记忆体产业，还需要可靠的知识产权来源与工程技术人才。
中国代工厂商XMC于上周在武汉正式着手兴建一座新的晶圆工厂，旨在制造3D NAND闪存记忆体。整个建设计划预计耗资２４０亿美元，资金来源则包括集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金以及中国发展投资基金等多个财团，XMC方面指出。
一位日本半导体设备专家表示，这笔交付XMC的投资“极其巨大”。他同时语带讽刺地指出：“这意味着项目必须得取得成功。”不过在被问及XMC将使用哪家企业的3D NAND闪存技术时，他的回答是“他们说使用的是自有IP。不过我对此并不了解。”
三星对东芝
IHS技术公司半导体价值链主管Akira Minamikawa也表达了类似的谨慎态度。说起XMC的3D NAND闪存制造起步工作，他认为“非常艰难”。以三星为例，他指出尽管三星公司在其3D NAND闪存项目当中投入了大量资源，但仍然耗费相当长的时间才构建完成。
东芝公司据称同样饱受3D NAND闪存开发难题的困扰。Minamikawa发现东芝公司的3D NAND闪存记忆体进程较三星方面“至少延后了一年时间”。“诚然，东芝公司表示其3D NAND已经开始发布样品。但一般来讲，样品制造与批量生产之间仍然有着很大距离。”
可以肯定的是，XMC也将面临着同样的挑战——事实证明，3D NAND闪存技术的发展成熟以及制作当中所必需的精密工艺技术都需要长时间打磨方可实现。“当然，整个过程至少需要三到四年，”Minmikawa表示，“甚至更久。”
而更令各位专家费解的是，XMC是否真的拥有自己的3D NAND闪存知识产权。
一种可能的解释来自Spansion公司一年前发布的声明（此后该公司被Cypress所收购）。Spansion方面表示，其将与XMC合作开发3D NAND技术。
不过问题在于，Spansion的闪存记忆体开发工作并非主要指出NAND，而是NOR闪存，Takashi Yunokami在采访中解释称。
Yunogami是一位工程师出身的顾问，并出版过多部关于日本半导体行业的论著。在日立公司效力期间，他专门负责干蚀刻技术的开发。
总而言之，没人见到过Spansion的3D NAND亲戚，Yunogami解释道。这意味着XMC与Spansion——或者说现在的Cypress——的合作成果始终难以捉摸。
不过在接受采访时，武汉XMC公司给出了完全不同的3D NAND闪存技术发展纲要。XMC公司的一位发言人通过电子邮件对采访做出了答复：
XMC公司于2014年开始推进3D NAND项目。在此之后，XMC与Spansion（现已被Cypress收购）则共同签订了面向3D NAND闪存研发工作的合作协议及交叉授权许可，意味着双方将共享相关知识产权。
XMC方面宣称，该公司于2015年5月“在3D NAND项目上取得了重大进展”，当时该公司的第一款测试芯片“通过电气验证”。这位发言人同时补充称，“从那时开始，XMC不断在记忆体单元性能与可靠性优化方面取得改进。”
XMC公司深谙3D NAND市场上的竞争格局。在去年11月召开的集成电路行业促进大会上，ＸＭＣ公司首席运营官洪沨在演讲中指出，ＮＡＮＤ闪存技术“为ＸＭＣ提供了千载难逢的发展机会。”他同时补充称，“三星主导3D NAND开发市场不过两年左右。立足于当下，我们仍然很有可能迎头赶上并跻身一线集团。”
另外还有与Spansion的合作关系。尽管已经被Cypress公司所收购，但XMC坚信“双方的合作关系并未受到影响。”
回顾Spansion与XMC在去年2月发布的声明，时任Spansion公司战略联盟高级副总裁的Ali Pourkeramati指出：
3D NAND将彻底转变未来数据的存储效率。我们拥有领先的MirrorBit技术，这是我们过去十年以来的努力结晶，而其将成为3D NAND创新工作中的核心优势并带来无可匹敌的高性能数据存储方案。
IHS公司的Minamikawa表示，日本各半导体企业都曾经冲击过NAND这一技术难题，不过具体时间点大概是在十年前。部分日本工程师对于NAND非常精通——然而，他们所开发了的NAND技术与如今的3D NAND闪存可谓截然不同，他坦言。
这就带来了新的问题，XMC能否吸引到充足且经验丰富的工程师，以肩负起中国发展自有3D NAND的野心？这恐怕正是瓶颈所在，Minamikawa表示。
同样的，中国在制程技术层面同样缺乏人才储备，Yunogami立足于客观评论道，“就个人而言，我认为这会令XMC相当被动。”