现在计算设备的存储器一直在小步向前发展，Nantero觉得这种进步还不够，他们想要研制出能够存储T级数据的存储器。最近这家公司完成了新一轮融资，融资金额为3150万美元，投资方包括Charles River Ventures、Stata Ventures、Globespan Capital Partners、Harris & Harris Group以及Draper Fisher Jurvetson。
Nantero 在生产一种碳纳米管存储器，用来替代闪存或动态随机访问存储器，他们将其称为NRAM——非易失性随机访问存储器。这种碳纳米管的直径只有头发的1/50000, 强度是钢的50倍，密度是铝的一半。由其做成的存储器读写速度会达到动态随机存取存储器（DRAM）的水平，是NAND闪存的百倍，而且功耗也会更低。
目前，Nantero已经研发出了4M存储器样品，他们希望未来以研制出能够存储T级数据的存储器。已经在多家工厂部署了几条产线，产品很快能进入量产阶段。底层元器件的改变，往往能推动产品形态的改变，也许在未来智能手机、可穿戴设备等产品的形态都将因此改变。
事实上，开发出这款产品与Nantero的技术积累密不可分。这家2001年成立的公司，拥有175项美国专利还有200项正在申请中的专利。