6月1日，东芝公司宣布旗下半导体业务部门的出售交易正式完成。历时8个月，全球第三大NAND厂商的出售一事终于画上句号。
作为全球十大半导体厂商中最后的日本元素，存储已是东芝这家143岁的老牌日企最具盈利能力的业务部门，但深陷财务泥潭的东芝不得不做出壮士断腕之举。
不过，和几年前DRAM的大溃败相比，日本半导体产业在NAND领域还留有颜面：通过该项交易获得的2万亿日元（约合180亿美元）东芝将极大改善财务状况；此外，东芝也通过再投资的方式保有了东芝存储40.2%的股份。
而就在2012年，日本半导体产业曾经的另一张名片——尔必达曾在当年2月申请了破产保护。同年7月，美国半导体厂商美光科技宣布以25亿美元的“白菜价”收购尔必达，日本最后的DRAM厂商黯然退场。
留得青山在，未来仍可期
尔必达和东芝存储的故事，在日本半导体产业的衰落之中颇具代表性：前者本就是多家日本电气巨头各自剥离旗下存储芯片业务的产物，其成立本身就具有强烈的政府保护色彩；后者则是闪存诞生之初，东芝员工发明的NOR和NAND两种类型的闪存如今合计已占据存储市场的45%。
不过该次出售某种程度上对东芝和东芝存储都会是一项利好：前者壮士断腕留得青山，保住日本制造的金字招牌，以期未来在其他领域继续发力；后者则可背靠贝恩充足的资金支持，最大化其技术优势，在存储市场进一步同三星等厂商抗衡。
在东芝和贝恩先后发布公告表示已通过全部所需的反垄断审查时，韩国三星证券分析师Hwang Min-seong就曾表示，东芝是三星电子目前在相关科技方面的唯一竞争对手，随着东芝半导体在出售后的后续调整重组，该产业将面临诸多策略性调整。
“大企业病”
芯谋研究首席分析师顾文军指出，探究日本半导体产业的衰落，“大企业病”是其中的关键。东芝存储的故事正是“大企业病”的一面。
1993年、2000年、2006年和2016年，东芝分别在全球十大半导体厂商中位列第三、第二、第四和第八，是仅存的依然处于领导地位的日系半导体厂商。
然而，母公司在2006年对西屋电气的收购为日后严重的财务危机埋下了伏笔。2011年，日本福岛核电站事故引发了全球范围对核电建设计划的谨慎，不少项目开始重新评估，东芝核电业务遭遇严重困境。
2016财年，东芝净亏损高达9657亿日元，已是连续第三年亏损，面临被东京证券交易所摘牌退市的风险，出售东芝存储成为了公司断臂求生的选择。
相较之下，日本DRAM厂商尔必达更令人唏嘘。尽管在2011年第四季度依然在DRAM市场保持着12%的占有率，挣扎多年也未能走出亏损泥沼的尔必达依然在2012年2月申请了破产保护，并在3月被东京证券交易所摘牌退市。
2012年7月，美光科技宣布了对尔必达的收购。2013年6月，尔必达正式成为美光科技子公司，其最后一期市场占有率统计定格在了2013年第二季度的15.2%。
“这些日本企业经营着各类产品和业务，资源也就非常分散。如果哪个业务部门表现不佳，很可能就会被抛弃。”顾文军表示，“半导体业务相对来讲产值较小，很难成为一家日本企业的核心业务。”
尔必达的成立就是一例。1999年，受困于经济衰退引起的DRAM价格急剧下滑，NEC和日立分别剥离旗下存储芯片业务，成立了新的DRAM公司尔必达。2003年，尔必达继续并入了三菱电机的DRAM业务部门。
自此，曾在IC Insights 1993年的全球十大半导体厂商排名中分别位列第二、第五和第八的三家日本半导体厂商的DRAM业务汇集在了一起。2004年，尔必达在东京证券交易所上市。在经历了早期的大跨度扩张后，尔必达市场占有率和产能均大幅提升，并在2006年进入半导体前20强。
但自2007年起，因产能过剩，DRAM市场价格开始急剧下滑。2008年金融危机又导致全球DRAM需求继续大幅减少，产品价格进一步下滑。IC Insights数据显示，2008年，DRAM颗粒价格由2007年的2.57美元骤降至1.83美元，降幅近30%。2009年，进一步降至1.74美元。
尽管日本政府在2009年通过《产业再生法》修正案，共计向尔必达提供了1300亿日元的援助。但在韩国公司强势崛起的巨大冲击和日元连续升值的影响下，尔必达终究没能走出困境。
其破产前于2012年2月发布的财报显示，公司仅2011年4月至12月亏损就达到989亿日元，至2012年3月底，总负债达4480亿日元。
求精不求变
尔必达也曾有过一次抓住救命稻草的机会。作为欧美仅存的DRAM企业的美光科技一直在努力寻求更多的产业合作，以和韩系厂商形成抗衡。2012年1月前后，美光与尔必达的联手本已基本谈成。
但屋漏偏逢连夜雨，美光时任CEO Steve Appleton突遭飞机失事遇难，美光和尔必达在最为关键的价格问题上需要重新进行讨论，谈判被迫推迟。不久之后，尔必达即宣告破产。
但这只是压垮尔必达的最后一根稻草。顾文军认为，日系半导体厂商的衰落不能简单归结为企业经营不善，还有很多深层原因。日本独特企业文化下的人员流动较少或是其中之一。
“这种从入职到退休的终身雇佣模式，以及日本企业中存在的等级观，一定程度上压制了年轻人的成长。”顾文军表示，“半导体行业变化非常快，这种现象明显不利于新鲜血液的补充，也就影响了企业的创新和技术进步。”
此外，两大日系存储厂商未能及时捕捉到市场变化趋势，均陷入了“求精不求变”的困局：东芝未能把握技术先发优势，将领先地位拱手让人；尔必达则是继续专注DRAM，寄希望于单纯通过技术上的精进在竞争中获胜。
东芝半导体研发部门负责人Fujio Masuoka分别在1984年和1987年成功发明了NOR和NAND两种类型的闪存。但NOR在当时并未引起日本产学研界的重视，反而是远在硅谷的英特尔迅速与东芝签订交叉授权许可协议，并在1988年成功推出了世界上第一个商用闪存芯片。
东芝制成NAND之时，三星电子正在和苦于资金周转的东芝进行联合开发提议的谈判。前者再次错判了NAND闪存的前景，认为这短期无法带来利益，而与三星的合作能立刻扩大生产规模，以降低成本、拓展市场。
三星实现了后发制人，在NAND市场上长年压制东芝，稳坐第一大NAND厂商的王座。2018年第一季度，三星和东芝在NAND市场分列第一、第二，占有率分别为37%和19.3%。
尔必达则是忽视了闪存市场的增长。2011年第一季度，DRAM市场规模为82.9亿美元，到2018年第一季度，该市场增长至了230.8亿美元；同期，NAND市场规模从53.63亿美元增长至了157.41亿美元，增速同样迅猛。此外，SEMI在2015年发布的数据显示，当年全球3D NAND市场规模达到了52亿美元，而到2022年这一数字将达到390亿美元。
分析指出，随着智能手机、平板设备的兴起，NAND闪存正在冲击着传统内存的需求，而尔必达长期坚持出售存储颗粒这一较为单一的业务模式，限制了利润率的提升。
2008年3月，尔必达时任CEO坂本幸雄还曾表示，公司在技术研发方面的投入，将使尔必达能够在DRAM市场中占据领先地位。他认为，公司可于2010年将三星从DRAM市场的龙头宝座挤下。当时，尔必达还在积极投资扩产，并表示将在未来三年保持每年2座12英寸厂的扩增速度。
其后，尔必达在2010年宣布其成功研制出全球首款基于40nm制程的4-gigabit DDR3内存，又在2011年宣布成为全球首个掌握了25nm制程的DRAM厂商。2012年2月，在申请破产保护之前，坂本幸雄还曾表示，在DRAM市场上能够幸存到最后的是尔必达这样拥有技术实力的公司。