据Wind资讯数据统计，截至5月3日，4月份以来，芯片国产化指数上涨1.55%，同期内，紫光国芯上涨3.52%。
近期，紫光国芯不超过13亿元的公司债券获批，紫光国芯董秘杜林虎对《证券日报》记者表示，此次募集资金将用于成都研发中心项目、高性能第四代DRAM存储器项目、以及偿还公司债务和补充运营资金。
作为国产芯片的龙头企业，投资者一直对紫光国芯保持较高的关注。自去年7月份公司终止收购国内存储芯片三大企业之一的长江存储之后，投资者不断在投资者互动平台上询问，公司未来是否会还会收购长江存储或进行合作。
杜林虎告诉记者，长江存储与公司的合作还不具备条件。
13亿元公司债券获批
4月27日晚，紫光国芯发布公告称，证监会已经核准公司向合格投资者公开发行面值总额不超过13亿元的公司债券。
记者查阅紫光国芯去年年报得知，公司募集13亿元资金主要用于项目投资、偿还公司债务和补充运营资金。其中，成都研发中心项目投资5.97亿元，公司拟以募集资金投入4.4亿元，建成后用于公司成都研发中心办公写字楼及研发配套；高性能第四代DRAM存储器项目投资2.82亿元，公司拟以募集资金投入1.9亿元；另外偿还公司债务和补充运营资金分别2亿元和4.7亿元。
去年紫光国芯存储器芯片业务实现营业收入3.35亿元，同比增72.96%。目前，公司的DRAM存储器芯片已形成了较完整的系列，产品接口覆盖SDR、DDR、DDR2和DDR3 DRAM，并开发相关的模组产品，此外公司开发完成的NANDFlash新产品也已开始了市场推广。公司新开发的DDR4及LPDDR4等产品正在验证优化中，今年将逐步推向市场。
对于成都研发中心，记者查阅紫光国芯公告得知，为满足公司未来持续发展的需要，公司充分利用成都高新区的资源优势，建设成都研发中心项目，形成集研发、测试等于一体的研发平台，吸引更多的专业科技人才加入公司团队，进一步增强公司研发实力、科技创新能力。
紫光国芯称，该项目的实施，能够有效解决公司因业务增长带来的研发及办公场地不足问题，有利于提高公司经济效益，为公司持续快速发展提供有力保证。
一直以来，紫光国芯的研发投入占比较高。年报显示，去年紫光国芯研发费用为5.03亿元，同比增长13.28%，占营业收入比例为27.49%。据Wind资讯数据统计，过去5年，紫光国芯研发费用持续增长，研发投入占营收比例均值为27.67%。近3年，紫光国芯平均年研发投入都在3亿元以上。
投资者心念收购长江存储
去年3月份，紫光国芯发布重大资产重组停牌公告，去年7月份，公司宣布终止筹划重大资产重组，终止收购长江存储。原因是长江存储目前尚处于建设初期，短期内无法产生销售收入，公司审慎论证后与紫光国器等交易对方经友好协商达成一致意见，认为收购长江存储股权的条件尚不够成熟，同意终止本次股权收购。
紫光国芯和长江存储同属紫光集团下属公司，后者是目前国内存储芯片产业三大企业之一，侧重NAND Flash的研发和生产，另外两家是合肥长鑫和晋华集成，分别致力于行动式内存和利基型内存的研发和生产。紫光国芯表示，长江存储设立时，由于公司当时已公告筹划存储器芯片制造工厂建设的募投项目，存在形成潜在同业竞争的情形，紫光集团对避免形成同业竞争做出了承诺，紫光国芯可以对长江存储进行产业整合。
记者发现，终止收购之后的半年多里，投资者对收购长江存储事件依旧念念不忘。在投资者互动平台上，不时有投资者询问公司未来是否会收购长江存储。
去年11月份，紫光国芯曾在互动平台表示，公司西安子公司从事DRAM存储器芯片的设计，目前产品委托专业代工厂生产。未来紫光集团下属长江存储如果具备DRAM存储器芯片的制造能力，公司会考虑与其合作。
而在近期的回复中，紫光国芯称，目前公司还没有涉足存储器芯片制造领域的明确计划，公司会积极寻求芯片设计相关领域的拓展机会。未来6个月至一年内，都不会对长江存储整合。
据媒体报道，4月份长江存储的3D NAND闪存已经获得第一笔订单，总计1.08万颗芯片，将用于8GB USD存储卡产品。
杜林虎表示，长江存储目前在建的生产线是3D NAND产品生产线，暂时没有规划DRAM存储器芯片的生产线，所以短期内无法形成DRAM存储器芯片的生产能力，与公司的合作还不具备条件。