2017年Flash原厂三星、东芝/西部数据、美光、SK海力士等3D NAND提高到64层/72层堆叠，NAND Flash单颗容量提高到256Gb和512Gb量产，相较于2D NAND容量翻倍，再加上不断提高3D NAND产出量，2017年NAND Flash存储密度达到1620亿GB当量。
全球NAND Flash存储密度增长趋势
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2018年将是3D NAND爆发性增长的一年，一方面是因为三星、东芝、美光、SK海力士等64层/72层3D NAND单颗Die容量提高到256Gb和512Gb，相较于2D NAND技术工艺的128Gb容量翻倍，同时与48层3D NAND技术相比，同等容量Wafer产出Die颗的数量可增加60%，NAND Flash产出进一步增加。
另一方面，三星Fab18开始投入量产，并有意打造成为三星单个产能最大的工厂，预估满载月产能约17万片Wafer，而且传三星将对西安厂进行扩产，3D NAND产出量进一步扩大。东芝和西部数据共同投资的Fab6工厂，一期正在安装设备，2018年即将投入生产。Fab6二期工厂和Fab7工厂也正在按照计划进行，东芝筹建Fab7工厂，初期建设投资70亿日元，传西部数据计划投资5000亿日元，用于Fab6和Fab7工厂建设。SK海力士M14工厂也会增加Wafer的产出量。在原厂技术提升和新工厂扩大投产的推动下，中国闪存市场ChinaFlashMarket预计2018年NAND Flash存储密度将增长30%。
NAND Flash市场的成长主要是应对市场需求的增加，主要是高端智能型手机容量翻倍和SSD需求强劲。
NAND Flash应用分布
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2017年全球智能型手机出货14.9亿台，苹果iPhone 8/8 Plus/X三款机型仅提供64GB和256GB两种容量，若按照6:4比例，平均容量高达140GB，而且三星Galaxy S8、华为P10/Mate 10、OPPO、VIVO等旗舰机纷纷以64GB和128GB为主打容量，再加上平板、车载、智能盒子等市场需求，2017年eMMC/eMCP等嵌入式产品消耗了42%的NAND Flash产能。
2018年，三星Galaxy S9 / S9+引领非苹果阵营向256GB迈进，预计华为、OPPO、VIVO将在3月份推出的旗舰机也将会跟风效仿，这将使得嵌入式产品对NAND Flash产能的需求进一步扩大。
SSD市场，数据中心、服务器等领域对数据分析、处理、响应速度的要求不断提高，谷歌、Facebook、百度、阿里巴巴、腾讯、华为等对SSD需求强劲。在NAND Flash市场缺货的时期，三星基于先进的64层3D NAND优先供货给高利润且数据存储量较大的企业级SSD客户，英特尔基于32层3D NAND以及3D Xpoint技术满足大数据存储需求，2017年全球企业级SSD市场出货2200万台，平均容量需求达到1.5TB，对NAND Flash产能消耗量较大。
SSD在消费类PC市场的渗透率
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消费类市场，超极本、二合一等轻薄笔记本对SSD搭载率不断增加，2017年消费类市场SSD出货1.35亿台，再加上工业、金融、车载等领域SSD需求，全球SSD共消耗了42%的NAND Flash产能。2018年随着NAND Flash成本的下滑，以及SSD向PCIe接口发展趋势带动下，2018年SSD在消费类PC市场的渗透率将超过50%，同时也有望成为NAND Flash第一大应用市场。