据ZDNet报道，韩国将在未来10年投资1.5万亿韩元（约合91.6亿人民币）发展下一代半导体技术，存储器厂商三星、SK海力士将受惠。
在存储器领域，三星是最大的NAND Flash和DRAM供应商，SK海力士DRAM市占排名第二，同时也是NAND Flash重要供应商。随着NAND Flash技术的发展，3D NAND的发展需要投入更多资金用于研发和购买生产设备，而DRAM进入10nm级，对技术和设备同样有着更高的要求，为了保证韩国在存储器领域的领导优势，增加资金投入是必要的。
2018年存储器厂商三星、东芝、西部数据、美光、SK海力士等均加码投资新建工厂，其中三星除了扩大平泽Fab18工厂的投资，还投资新建中国西安二期工厂，同时SK海力士除了将在2019年初开始投产的新M15工厂，正计划在2018年底开始新建M16工厂，2020年完工。
此外，中国大力发展存储产业，支持长江存储、合肥长鑫、福建晋华等在3D NAND和DRAM芯片上的制造，以及存储生态链上的建设，韩国感受到中国对半导体的重视程度增加，为了保证在全球市场的领先地位，扩大投入是必然的。
另一方面，在3D NAND和DRAM技术发展到一定的程度，新的材料和技术的开发至关重要，也是未来企业能否在市场上站稳脚跟的关键。韩国所投资的1.5兆韩元的方向主要包括，存储芯片下一代材料的研发和设备投资、培育逻辑芯片代工、吸引外商企业在韩国本土建立生产线等。