中国存储网消息，美光科技最新的 DRAM 原型凸显了三星电子和 SK 海力士在芯片制造方面的巨大差异，这一差异可能会影响未来的行业竞争。
美光选择尽量减少极紫外 （EUV） 光刻的使用，而是依靠成熟的氟化氩浸 （ArFi） 光刻来加速生产。行业专家表示，相比之下，三星和SK海力士计划扩大EUV层的使用，此举可能会影响长期产量、生产效率和芯片性能。
据业内人士透露，美光仅将 EUV 纳入其 2 月份推出的 10 纳米级第六代 （D1c） DRAM 的有限步骤中。美光发言人表示：“EUV技术仍然缺乏完全的稳定性，因此我们只在绝对必要的情况下应用它。我们认为，在评估成本和生产力之后，这是正确的时机。
三星是业内率先采用EUV进行存储芯片生产的公司，自2020年以来稳步扩大其使用范围。它最初将 EUV 应用于其第三代 10 纳米 （1z） DRAM 的单层，此后增加了 EUV 层的数量。其即将推出的 D1c DRAM 将具有超过五个 EUV 层。
SK海力士采取了更加谨慎的态度。该公司于 2021 年在 DRAM 制造中引入了 EUV，从第四代 10 纳米 （D1a） DRAM 开始，仅使用一层 EUV 层。SK海力士现在计划在其下一代D1c DRAM上应用五层或更多EUV层，这与三星的战略保持一致。
美光历来在 DRAM 生产中避免使用 EUV，并继续采取保守的方法。其最近发货的 D1c DRAM 原型仅使用一个 EUV 层，严重依赖基于 ArFi 的多图案化。然而，行业分析师警告称，随着芯片设计变得更加先进，仅依赖ArFi光刻技术可能会导致良率下降和生产成本上升，从而可能使美光在获得高性能DRAM订单方面处于劣势。
一位行业专家表示：“目前，用基于 ArFi 的多图案取代单个 EUV 层是可控的，但随着 EUV 层的数量增加到三个以上，复杂性差距将会扩大。“在大规模生产中，三星和SK海力士拥有多年稳定EUV工艺的经验，可能会在产量和产量方面获得优势。”
三星拥有 30 多台 EUV 机器——三家内存制造商中最多的——在其第四代和第五代 10 纳米 DRAM 遭遇挫折后，正在对其 EUV 工艺进行调整。该公司专注于精炼抗蚀剂材料、改进光源和增强掩模技术，内部评估显示吞吐量和工艺效率取得了进展。